CMOS数字电路抗热载流子研究  

Research on Hot-Carrier Effect of CMOS Digital IC

作　　者：杜春艳[1] 庄奕琪[1] 罗宏伟[1] 李小明[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安710071

出　　处：《电子产品可靠性与环境试验》2004年第1期10-14,共5页Electronic Product Reliability and Environmental Testing

基　　金：电子元器件可靠性及其应用技术国家重点实验室基金(514330301)

摘　　要：介绍了热载流子效应与电路拓扑结构及器件参数之间的关系,并在此基础上提出了基本逻辑门的一些抗热载流子加固方法。通过可靠性模拟软件验证这些方法,为CMOS数字电路提高抗热载流子能力提供了参考。Hot-Carrier Effect (HCE) is relevant to device parameter and circuit topology. Some logic gates reliability design methods based on HCE can be obtained by analyzing the relationship between them. These methods are validated with reliability simulation software and are useful for improving the HCE performance of CMOS digital integrate circuit.

关 键 词：热载流子效应 可靠性设计 可靠性模拟 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]