许冬岗

作品数：8被引量：16H指数：2
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供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
发文主题：热载流子效应IC分形IC制造场效应晶体管更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《西安电子科技大学学报》《电子学报》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国防科技技术预先研究基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
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深亚微米槽栅NMOSFET结构参数对其抗热载流子特性的影响被引量：1
《电子学报》2001年第2期160-163,共4页任红霞 郝跃 许冬岗 
国防预研基金! (No.99J8.1 .1 .DZD1 32 )
基于流体动力学能量输运模型和幸运热载流子模型 ,用二维器件仿真软件Medici对深亚微米槽栅NMOSFET的结构参数 ,如沟道长度、槽栅凹槽拐角角度、漏源结深等 ,对器件抗热载流子特性的影响进行了模拟分析 ,并与常规平面器件的相应特性进...
关键词：槽栅NMOSFET 热载流子效应 结构参数 场效应晶体管 
槽栅NMOSFET结构与性能仿真被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第2期234-240,共7页任红霞 郝跃 许冬岗 
国防预研基金资助项目!(99J8.1.1.DZD13 2 )&&
基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维器件模拟器 MEDICI对深亚微米槽栅 NMOSFET器件的结构参数 ,如结深、凹槽拐角及沟道长度等对器件性能的影响进行了仿真研究 ,并与相应的常规平面器件特性进行了对比 .研究表明在深亚微米范围内 ,...
关键词：槽栅NMOSFET 结构参数 场效应晶体管 仿真 结构 性能 
N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究被引量：3
《物理学报》2000年第7期1241-1248,共8页任红霞 郝跃 许冬岗 
高等学校博士学科点专项基金! (批准号 :80 70 110 )
用二维器件仿真软件MEDICI模拟分析了N型槽栅金属 氧化物 半导体场效应晶体管的热载流子特性及其对器件性能所造成的损伤 ,并与相应常规平面器件进行了比较 ,同时用器件内部物理量的分布对造成两种结构器件特性不同的原因进行了解释 ...
关键词：槽栅MOSFET 热载流子效应 N型 
VLSI 3-维容错结构及其成品率分析被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第6期481-487,共7页赵天绪 郝跃 许冬岗 
国防科技预研基金
本文研究ＶＬＳＩ电路的ＮＰＩＲＡ结构及其成品率，分析间隙冗余阵列的（ｓ，８）类结构，提出最优的（ｓ，８）间隙冗余阵列的定义，同时给出了最优的（ｓ，８）间隙冗余的成品率的下界表示．
关键词：VLSI 容错结构 3-维容错结构 成品率 系统集成 
d-叉树k-FT结构的可靠性分析及冗余单元的分配被引量：1
《西安电子科技大学学报》1999年第2期197-200,共4页赵天绪 郝跃 周涤非 许冬岗 
国防科工委预研基金;国家863计划项目资助
随着芯片面积的增加及电路复杂性的增强，系统的可靠性逐渐下降．为了保证有较高的可靠性，人们将容错技术引进了集成电路的设计中．文中分析了ｄ－叉树的ｋ－ＦＴ结构的可靠性，同时讨论了如何分配冗余单元才能使系统具有较高可靠性的...
关键词：d-叉树 可靠性分析 覆盖因子 冗余单元分配 VLSI 
IC制造中真实缺陷轮廓模型的比较
《电子科学学刊》1998年第2期206-212,共7页姜晓鸿 郝跃 许冬岗 徐国华 
本文对现有的IC制造中真实缺陷轮廓的建模方法进行了比较,得到了一些有意义的结果。该结果为进行有效的集成电路(IC)成品率预报及故障分析提供了有益的借鉴。
关键词：IC缺陷 IC故障 制造工艺 
IC制造中真实缺陷轮廓的分形特征被引量：7
《Journal of Semiconductors》1998年第2期123-126,共4页姜晓鸿 郝跃 许冬岗 徐国华 
863高科技项目;军事预研项目资助
为了进行有效的集成电路（ＩＣ）成品率预报及故障分析，与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的．然而，真实的缺陷的形貌是多种多样的．本文讨论了缺陷轮廓所具有的分形特征．
关键词：IC 制造工艺 分形 缺陷轮廓 
IC丢失物缺陷粒径的表征及其轮廓的分形特征被引量：1
《西安电子科技大学学报》1997年第4期459-462,472,共5页姜晓鸿 郝跃 周涤非 许冬岗 
"863"高科技项目和军事预研项目资助
对现有的ＩＣ制造中丢失物缺陷轮廓的建模方法进行了比较，说明现有方法存在的问题并得到了一些有意义的结论；分析了ＩＣ制造中丢失物缺陷轮廓所具有的分形特征。
关键词：集成电路 丢失物缺陷 分形 制造工艺 
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