IC制造中真实缺陷轮廓模型的比较  

COMPARISON OF MODELS OF REAL DEFECT OUTLINES IN THE IC MANUFACTURING PROCESS

作　　者：姜晓鸿[1] 郝跃[1] 许冬岗[1] 徐国华 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,西安710071

出　　处：《电子科学学刊》1998年第2期206-212,共7页

摘　　要：本文对现有的IC制造中真实缺陷轮廓的建模方法进行了比较,得到了一些有意义的结果。该结果为进行有效的集成电路(IC)成品率预报及故障分析提供了有益的借鉴。The approaches to model the real defect outlines in the IC manufacturing process are compared and some useful conclusions are obtained. The results obtained in this paper will be helpful for yield prediction and fault analysis of IC.

关 键 词：IC缺陷 IC故障 制造工艺 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]