IC丢失物缺陷粒径的表征及其轮廓的分形特征  

Size characterization and outline fractal characterization of IC missingmaterial defect

作　　者：姜晓鸿[1] 郝跃[1] 周涤非 许冬岗[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子所

出　　处：《西安电子科技大学学报》1997年第4期459-462,472,共5页Journal of Xidian University

基　　金："863"高科技项目和军事预研项目资助

摘　　要：对现有的ＩＣ制造中丢失物缺陷轮廓的建模方法进行了比较，说明现有方法存在的问题并得到了一些有意义的结论；分析了ＩＣ制造中丢失物缺陷轮廓所具有的分形特征。The approach to model the missingmaterial defect outlines in the IC manufacturing process are compared and some useful conclusions are obtained. Finally, the fractal characterization of missingmaterial defect outlines in the IC manufacturing process is discussed, the result laying a foundation for a fine characterization and computer simulation of the defects on wafer.

关 键 词：集成电路 丢失物缺陷 分形 制造工艺 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]