半超结VDMOS器件设计与应用  

作　　者：孙晓儒 

机构地区：[1]福建省福芯电子科技有限公司

出　　处：《电子世界》2016年第20期184-184,186,共2页Electronics World

摘　　要：本文主要针对半超结VDMOS器件的设计和应用进行简要讨论分析,并通过超结器件的工作原理缺点以及使用的改进方法,对其进行理论性质方面的应用探究。而在这种新型器件的使用中,结构特征与工作原理,就代表了全部的结构应用区间。对于新型器件结构在日常使用中的安全问题,需要结合元器件的制造需求,以及市场未来的发展需求,进行综合分析。

关 键 词：半超结 VDMOS器件 设计 应用 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]