汪礼胜

作品数：16被引量：36H指数：3
导出分析报告
供职机构：武汉理工大学理学院更多>>
发文主题：太阳电池高K栅介质迁移率优化设计少子寿命更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程化学工程更多>>
发文期刊：《测试技术学报》《物理学报》《大学物理》《人工晶体学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金湖北省高等学校省级教学研究项目湖北省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
α-In_(2)Se_(3)修饰的多层MoS_(2)记忆晶体管的光电协控阻变特性研究
《武汉理工大学学报》2023年第9期1-8,共8页相韬 陈凤翔 李晓莉 王小东 闫誉玲 汪礼胜 
国家自然科学基金(51702245)。
记忆晶体管将忆阻器和场效应晶体管结合起来,这种结构能够引入多端口控制,对于丰富存储器的调控手段具有重要的意义。使用微机械剥离法依次转移了多层MoS_(2)和α-In_(2)Se_(3),搭建了以α-In_(2)Se_(3)作为修饰的MoS_(2)记忆晶体管,并...
关键词：MoS_(2) α-In_(2)Se_(3) 单极性 光电协控 
高k HfLaO栅介质MoS2晶体管的性能研究被引量：1
《微电子学》2020年第4期564-568,共5页邹霁玥 汪礼胜 
国家自然科学基金资助项目(51702245)。
比较研究了HfO2与HfLaO栅介质多层MoS2场效应晶体管。实验结果表明,与HfO2栅介质MoS2晶体管相比,HfLaO栅介质MoS2晶体管表现出更优的电性能。电流开关比高达1×10^8,亚阈斜率低至76 mV/dec,界面态密度低至1.1×10^12 cm^-2·eV^-1,载流...
关键词：多层二硫化钼 氧化镧铪 场效应晶体管 高K栅介质 
硒化镉纳米线在应力作用下的第一性原理研究被引量：1
《人工晶体学报》2019年第7期1275-1280,共6页姜豹 汪礼胜 曹功辉 陈凤翔 
中央高校基本科研业务费专项资金(2018IVB020);国家自然科学基金(51702245)
基于密度泛函理论的第一性原理计算分析了不同横向尺寸的硒化镉(CdSe)纳米线在拉伸和压缩单轴应力作用下的能带结构、载流子(电子和空穴)的有效质量以及迁移率的变化。计算结果表明,CdSe纳米线在施加应变或改变横向尺寸时,均表现为直接...
关键词：CdSe纳米线 应力 能带结构 迁移率 第一性原理 
应力对单层GaTe能带结构和迁移率影响的第一性原理研究
《人工晶体学报》2018年第2期246-253,共8页王嘉绮 汪礼胜 姜豹 陈凤翔 
中央高校基本科研业务费专项资金(2015IA008);国家自然科学基金(51702245)
基于密度泛函理论的第一性原理计算分析了单层碲化镓(GaTe)能带结构和载流子迁移率随外加应力的变化。计算发现:载流子有效质量和迁移率随K点位置而不同,并且形变势对载流子迁移率影响很大;在单层GaTe的b轴或ab双轴上施加合适的压应力...
关键词：单层GaTe 能带结构 应力调控 迁移率 
CsGeI_3空穴传输层平面异质结钙钛矿太阳电池的模拟优化被引量：2
《人工晶体学报》2017年第5期814-819,824,共7页杨永勇 汪礼胜 许伟康 张勇 王嘉绮 陈凤翔 
中央高校基本科研业务费专项资金(2015IA008;2015IA011);湖北省自然科学基金(2014CFB864)
采用AFORS-HET软件对CsGeI_3空穴传输层(Hole Transport Material,HTM)平面异质结钙钛矿太阳电池进行了模拟,TiO_2作为电子传输层,CH_3NH_3PbI_3作为光吸收层,C作为背电极,分别讨论了钙钛矿光吸收层厚度、缺陷浓度,光吸收层/HTM界面态...
关键词：AFORS-HET 钙钛矿太阳电池 CS Ge I3 
缺陷周围载流子分布的时域GUI演示被引量：1
《大学物理》2016年第9期24-29,65,共7页陈凤翔 许伟康 汪礼胜 
武汉理工大学教学研究项目(w2014080;w2015053)资助
半导体材料中的微量缺陷能够在很大程度上影响其光电特性,不同类型的缺陷造成的影响也不一样.本文以数学物理方法中的差分解法为基础,对半导体物理中的连续性方程进行离散处理,同时借助Matlab中的GUI界面作为演示工具,分别展示了局域光...
关键词：缺陷 载流子浓度 时域演化 扩散长度 
高k栅介质InGaAs MOSFET结构的设计与仿真
《微电子学》2014年第2期237-240,244,共5页朱述炎 叶青 汪礼胜 徐静平 
国家自然科学基金资助项目(61176100)
利用半导体仿真工具Silvaco TCAD,研究了高k栅介质InGaAs MOSFET的三种结构:缓冲层结构、侧墙结构和基本结构。通过对三种结构MOSFET的阈值电压、亚阈值摆幅以及漏源电流进行比较分析,得出缓冲层结构InGaAs MOSFET具有最佳的电学特性,...
关键词：MOSFET INGAAS 高K栅介质 
不同散射机理对Al_2O_3/In_xGa_(1-x)As nMOSFET反型沟道电子迁移率的影响
《物理学报》2013年第15期376-382,共7页黄苑 徐静平 汪礼胜 朱述炎 
国家自然科学基金(批准号:61176100)资助的课题~~
通过考虑体散射、界面电荷的库仑散射以及Al2O3/InxGa1-xAs界面粗糙散射等主要散射机理,建立了以Al2O3为栅介质InxGa1-xAsn沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型沟道电子迁移率模型,模拟结果与实验数据有好的符合.利用该模...
关键词：INGAAS MOSFET 反型沟道电子迁移率 散射机理 
量子力学虚拟实验的MATLAB演示被引量：9
《大学物理》2012年第5期58-61,65,共5页陈凤翔 汪礼胜 谭改娟 许文英 
湖北省教学研究项目(2010079)资助;武汉理工大重点教学研究项目(2010062)资助
量子力学是一门较抽象的科学.为了更直观、形象地展示量子力学中的一些物理原理和实验现象,本文利用MAT-LAB软件搭建了一个量子力学的虚拟演示平台,可以生动地演示电子双缝衍射、量子隧穿效应、氢原子电子云和斯塔克效应等现象.通过相...
关键词：量子力学 虚拟平台 MATLAB 
微波反射光电导衰减法测少子寿命演示实验
《物理实验》2012年第3期1-3,8,共4页汪礼胜 陈凤翔 
武汉理工大学教学研究项目(No.2010062);湖北省教学研究项目(No.2010079)
采用微波反射光电导衰减法设计了测试少子寿命的演示实验装置.实验装置主要由脉冲激光源、微波发射接收和数据采集处理系统等部分组成.该实验可以直观地演示非平衡载流子随时间的衰减过程,定量给出少子寿命、扩散系数和扩散长度.
关键词：微波反射光电导 少子寿命 扩散长度 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部