叶青

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供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院更多>>
发文主题：MOSFET高K栅介质INGAAS更多>>
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高k栅介质InGaAs MOSFET结构的设计与仿真
《微电子学》2014年第2期237-240,244,共5页朱述炎 叶青 汪礼胜 徐静平 
国家自然科学基金资助项目(61176100)
利用半导体仿真工具Silvaco TCAD,研究了高k栅介质InGaAs MOSFET的三种结构:缓冲层结构、侧墙结构和基本结构。通过对三种结构MOSFET的阈值电压、亚阈值摆幅以及漏源电流进行比较分析,得出缓冲层结构InGaAs MOSFET具有最佳的电学特性,...
关键词：MOSFET INGAAS 高K栅介质 
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