朱述炎

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供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院更多>>
发文主题：MOSFET高K栅介质INGAASMOS器件XGA更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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高k栅介质InGaAs MOSFET结构的设计与仿真
《微电子学》2014年第2期237-240,244,共5页朱述炎 叶青 汪礼胜 徐静平 
国家自然科学基金资助项目(61176100)
利用半导体仿真工具Silvaco TCAD,研究了高k栅介质InGaAs MOSFET的三种结构:缓冲层结构、侧墙结构和基本结构。通过对三种结构MOSFET的阈值电压、亚阈值摆幅以及漏源电流进行比较分析,得出缓冲层结构InGaAs MOSFET具有最佳的电学特性,...
关键词：MOSFET INGAAS 高K栅介质 
不同散射机理对Al_2O_3/In_xGa_(1-x)As nMOSFET反型沟道电子迁移率的影响
《物理学报》2013年第15期376-382,共7页黄苑 徐静平 汪礼胜 朱述炎 
国家自然科学基金(批准号:61176100)资助的课题~~
通过考虑体散射、界面电荷的库仑散射以及Al2O3/InxGa1-xAs界面粗糙散射等主要散射机理,建立了以Al2O3为栅介质InxGa1-xAsn沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型沟道电子迁移率模型,模拟结果与实验数据有好的符合.利用该模...
关键词：INGAAS MOSFET 反型沟道电子迁移率 散射机理 
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