热壁LPCVD

作品数：11被引量：13H指数：2
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6H-SiC衬底上多晶Si薄膜热壁CVD间隔生长与结构表征
《人工晶体学报》2014年第8期1965-1969,共5页高战军 陈治明 李连碧 赵萌 黄磊 
国家自然科学基金(51177134)
在热壁LPCVD系统中利用间隔生长法在6H-SiC衬底上淀积Si薄膜,采用XRD、SEM、激光共聚焦显微镜和拉曼光谱对Si薄膜的表面形貌和结构进行表征。结果表明:相比于连续生长法,用间隔法制备Si薄膜的速率有所降低,但表面粗糙度有所减小,同时晶...
关键词：热壁LPCVD 多晶Si薄膜 择优取向 表面粗糙度 
热壁LPCVD设备TEOS工艺炉管的使用与维护被引量：2
《半导体技术》2012年第10期786-789,共4页吴海 
通过介绍热壁LPCVD的TEOS工艺淀积SiO2薄膜的原理,分析了在淀积薄膜的过程中经常遇到的薄膜均匀性等方面的问题。重点分析了硅片中心与石英管轴心所处的相对位置对片内薄膜均匀性的影响关系、石英舟的位置以及恒温区的温度控制对片间均...
关键词：热壁 淀积 薄膜 均匀性 维护 
衬底温度对a-Si_(1-x)C_x:H薄膜成分的影响
《鲁东大学学报（自然科学版）》2011年第3期229-231,共3页田帅 简红彬 
采用热壁低压化学气相沉积(LPCVD)技术,在Si(100)衬底上成功制备出了具有化学计量的氢化非晶碳化硅(a-Si1-xCx∶H)薄膜,并用傅里叶变换红外光谱仪和X射线光电子能谱仪对薄膜成分进行了分析,探讨了衬底温度对a-Si1-xCx∶H薄膜成分的影响...
关键词：热壁LPCVD a-Si1-xCx∶H薄膜 衬底温度 薄膜成分 
SiH2Cl2-NH3-N2体系热壁LPCVD Si3N4膜工艺研究
《光学精密工程》2004年第z1期318-321,共4页谭刚 吴嘉丽 
介绍了利用SiH2Cl2-NH3-N2体系LPCVD制备Si3N4薄膜的工艺,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的厚度及折射率.结果表明:当原料气中氨气与二氯甲硅烷的流量之比(R)较小时(R≤2),获得富Si的Si3N4薄膜,折射率较高.当氨气远远过量时(R＞4),折射率处于...
关键词：二氯甲硅烷-氨体系 LPCVD 氮化硅薄膜 折射率 
热壁LPCVD多晶硅膜的质量分析被引量：5
《电子工业专用设备》1998年第4期37-41,44,共6页程开富 
对就热壁ＬＰＣＶＤ多晶硅的基本原理、典型淀积条件、掺杂、均匀性，引起多晶硅膜层表面“发乌”、“发雾”的原因和提高多晶硅膜质量的工艺措施作了分析和研究。
关键词：热壁LPCVD 多晶硅膜 质量分析 制造工艺 IC 
氮化硅薄膜的等离子腐蚀及钝化性能研究被引量：1
《电子工业专用设备》1997年第4期40-43,共4页程开富 
介绍在硅ＣＣＤ多路传输器研制中，热壁ＬＰＣＶＤ氮化硅钝化膜的等离子腐蚀及钝化性能。
关键词：热壁LPCVD 等离子腐蚀 氮化硅 红外信平面陈列 
热壁 LPCVD 氮化硅薄膜的制备及其应用被引量：3
《电子工业专用设备》1997年第3期28-31,共4页程开富 刘心莲 
论述了热壁低压化学汽相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备氮化硅薄膜的工艺过程。对氮化硅薄膜进行测试分析，用它作介质膜、钝化膜，并作出了多种性能良好的光电器件。
关键词：热壁LPCVD 氮化硅 半导体薄膜技术 
热壁LPCVD多晶硅薄膜在硅CCD多路传输器研制中的应用
《四川真空》1997年第1期23-28,共6页程开富 
本文主要介绍多晶硅薄膜的淀积方法。对热壁ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜的表面形貌以及掺磷后的薄膜电阻进行分析。其次简要叙述了多晶硅薄膜在硅ＣＣＤ多路传输器研制中的应用。
关键词：多晶硅薄膜 热壁LPCVD 硅CCD 多路传输器 
热壁LPCVD多晶硅薄膜的制备及其应用被引量：2
《电子工业专用设备》1996年第4期27-32,共6页程开富 
论述了热壁低压化学汽相渡积（ＬＰＣＶＤ）制备多晶硅薄膜的淀积变量，是影响膜层质量的因素。其次简述了热壁ＬＰＣＶＤ薄膜在硅ＣＣＤ多路传输器和硅ＣＣＤ多路开关组件等红外信号处理器件研制中的应用。
关键词：热壁LPCVD 多晶硅 薄膜 
热壁LPCVD设备使用中几个问题的探讨
《四川真空》1996年第1期21-25,共5页程开富 
文章就热壁ＬＰＣＶＤ设备使用过程中出现的几个问题作了较全面的分析，提出了一些解决办法，并就热壁ＬＰＣＶＤ备设出现的故障及设备的维护谈了自己的一点体会。
关键词：集成电路 光电器件 热壁LPCVD 薄膜 
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