氮化硅薄膜的等离子腐蚀及钝化性能研究  

作　　者：程开富[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所

出　　处：《电子工业专用设备》1997年第4期40-43,共4页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：介绍在硅ＣＣＤ多路传输器研制中，热壁ＬＰＣＶＤ氮化硅钝化膜的等离子腐蚀及钝化性能。

关 键 词：热壁LPCVD 等离子腐蚀 氮化硅 红外信平面陈列 

分 类 号：TN214[电子电信—物理电子学] TN304.24