SiH2Cl2-NH3-N2体系热壁LPCVD Si3N4膜工艺研究  

Technical research of Si3N4 film in SiH2Cl2-NH3-N2 system prepared by LPCVD

作　　者：谭刚[1] 吴嘉丽[1] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院,电子工程研究所,传感器研究中心,四川,绵阳,621900 中国工程物理研究院,电子工程研究所,传感器研究中心,四川,绵阳,621900

出　　处：《光学精密工程》2004年第z1期318-321,共4页Optics and Precision Engineering

摘　　要：介绍了利用SiH2Cl2-NH3-N2体系LPCVD制备Si3N4薄膜的工艺,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的厚度及折射率.结果表明:当原料气中氨气与二氯甲硅烷的流量之比(R)较小时(R≤2),获得富Si的Si3N4薄膜,折射率较高.当氨气远远过量时(R＞4),折射率处于1.95～2.00之间.在适当的工艺条件下,获得的Si3N4薄膜表面均匀、平整,折射率达到理想值.

关 键 词：二氯甲硅烷-氨体系 LPCVD 氮化硅薄膜 折射率 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]