热壁LPCVD多晶硅薄膜在硅CCD多路传输器研制中的应用  

作　　者：程开富[1] 

机构地区：[1]电子部重庆光电技术研究所

出　　处：《四川真空》1997年第1期23-28,共6页

摘　　要：本文主要介绍多晶硅薄膜的淀积方法。对热壁ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜的表面形貌以及掺磷后的薄膜电阻进行分析。其次简要叙述了多晶硅薄膜在硅ＣＣＤ多路传输器研制中的应用。

关 键 词：多晶硅薄膜 热壁LPCVD 硅CCD 多路传输器 

分 类 号：TN37[电子电信—物理电子学] TN304.12