热壁LPCVD多晶硅薄膜的制备及其应用  

作　　者：程开富[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所

出　　处：《电子工业专用设备》1996年第4期27-32,共6页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：论述了热壁低压化学汽相渡积（ＬＰＣＶＤ）制备多晶硅薄膜的淀积变量，是影响膜层质量的因素。其次简述了热壁ＬＰＣＶＤ薄膜在硅ＣＣＤ多路传输器和硅ＣＣＤ多路开关组件等红外信号处理器件研制中的应用。

关 键 词：热壁LPCVD 多晶硅 薄膜 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]