热壁LPCVD多晶硅膜的质量分析  

作　　者：程开富[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所

出　　处：《电子工业专用设备》1998年第4期37-41,44,共6页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：对就热壁ＬＰＣＶＤ多晶硅的基本原理、典型淀积条件、掺杂、均匀性，引起多晶硅膜层表面“发乌”、“发雾”的原因和提高多晶硅膜质量的工艺措施作了分析和研究。

关 键 词：热壁LPCVD 多晶硅膜 质量分析 制造工艺 IC 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学] TN304.055