多晶硅膜

作品数：26被引量：24H指数：3
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2020年中国光伏技术发展报告——晶体硅太阳电池研究进展(4)被引量：4
《太阳能》2021年第1期5-10,共6页中国可再生能源学会光伏专业委员会 
目前TOPCon电池的一大任务就是如何简化制备工艺,以便最大限度地降低成本。图24给出了TOPCon电池的3种不同的工业化工艺流程,这3种工艺分别为LPCVD制备多晶硅膜结合传统的全扩散工艺、LPCVD制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺,以及PE...
关键词：多晶硅膜 离子注入 LPCVD 原位掺杂 扩散工艺 晶体硅太阳电池 光伏技术 TOP 
厚多晶硅膜饱和掺杂工艺研究
《电子与封装》2012年第5期28-30,共3页林丽 聂圆燕 吴晓鸫 
文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式,其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中,需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固...
关键词：厚多晶硅薄膜 饱和掺杂 低阻 多晶硅电阻 
准分子激光烧结玻璃衬底上多晶硅薄膜材料的制备被引量：7
《液晶与显示》2001年第3期170-175,共6页邱法斌 骆文生 张玉 刘传珍 荆海 黄锡珉 
中国科学院"九五"重大项目 (KY95 1 -A1 -5 0 2 ) ;吉林省科委"九五"科技攻关项目 (970 1 0 3 -0 1 )
在 PECVD法制备 a- Si:H薄膜材料基础上 ,以 Xe Cl准分子激光烧结为手段 ,对在玻璃衬底上制备多晶硅薄膜材料的工艺条件进行了探索 ,利用 XRD、 SEM、 Raman光谱等分析测试手段对所制备材料的结构特征进行了表征。较高的衬底温度、合适...
关键词：多晶硅膜 准分子激光烧结 玻璃衬底 制备 
热壁LPCVD多晶硅膜的质量分析被引量：5
《电子工业专用设备》1998年第4期37-41,44,共6页程开富 
对就热壁ＬＰＣＶＤ多晶硅的基本原理、典型淀积条件、掺杂、均匀性，引起多晶硅膜层表面“发乌”、“发雾”的原因和提高多晶硅膜质量的工艺措施作了分析和研究。
关键词：热壁LPCVD 多晶硅膜 质量分析 制造工艺 IC 
AIN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性
《电子科技大学学报》1998年第1期47-50,共4页何进 杨传仁 
研究了ＡｌＮ基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性。实验发现，膜电阻率随温度变化呈现出从ＮＴＣ过渡到ＰＴＣ的Ｕ型特性，转折温度ＴＭ的位置依赖工艺条件的变化。理论分析表明：晶界势垒使膜电阻率在温度变化上存在一个极小值，...
关键词：多晶硅 晶界势垒 转折温度 AIN基片 掺杂 
掺杂多晶硅膜电特性的模拟分析
《华中理工大学学报》1996年第A01期121-125,共5页徐静平 丘思畴 
在Ｓｅｔｏ陷阱模型基础上，通过考虑晶粒体电阻效应和有效陷阱态密度，建立了修正的陷阱模型。理论计算结果表明，该模型不但适用于小晶粒，而且也适用于大晶粒尺寸多晶硅膜电特性的模拟分析，且与实验数据符合较好；对于大晶粒的情况...
关键词：多晶硅膜 陷阱模型 电特性 模拟分析 
新型光伏材料—多晶硅膜
《新能源》1995年第11期10-13,共4页冒东奎 
关键词：太阳能电池 沉积 光伏材料 多晶硅 薄膜 
多晶硅膜的PECVD和LPCVD原位掺杂研究被引量：1
《华中理工大学学报》1995年第A01期199-204,共6页徐静平 余岳辉 彭昭廉 惠东 
对等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）和低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）两种方法制备掺杂多晶硅膜进行了详细的实验研究，通过时两者进行比较，对淀积的动力学特性、淀积膜的结构、膜的电特性与工艺条件的关系等进行了分析讨论。结...
关键词：多晶硅 掺杂 半导体 薄膜 CVD 
热壁低压化学汽相淀积多晶硅膜的氧沾污分析被引量：6
《半导体技术》1995年第3期38-40,43,共4页程开富 
主要介绍热壁低压化学汽相淀积（ＬＰＣＶＤ）多晶硅薄膜时，系统、温度和氧沾污对膜层质量的影响。
关键词：多晶硅膜 氧沾污 掺磷 热壁 低压 化学汽相沉积 
多晶硅膜及其薄发射极退火特性的研究
《微电子学》1994年第2期61-65,共5页徐静平 余岳辉 
本文详细研究了退火方式和条件对多晶硅膜结构、电性能以及多晶硅接触薄发射极的发射极电阻的影响。结果表明，１０００℃以上热退火对于减小发射极电阻、降低多晶硅膜的电阻率有利；激光退火不但能减小发射极电阻，导致更低的多晶硅膜...
关键词：多晶硅膜 薄发射极 热退火 激光退火 
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