掺杂多晶硅膜电特性的模拟分析  

作　　者：徐静平 丘思畴 

出　　处：《华中理工大学学报》1996年第A01期121-125,共5页Journal of Huazhong University of Science and Technology

摘　　要：在Ｓｅｔｏ陷阱模型基础上，通过考虑晶粒体电阻效应和有效陷阱态密度，建立了修正的陷阱模型。理论计算结果表明，该模型不但适用于小晶粒，而且也适用于大晶粒尺寸多晶硅膜电特性的模拟分析，且与实验数据符合较好；对于大晶粒的情况，模型的迁移率也是在Ｎ＝Ｎ＾＊处最小，其中Ｎ＾＊随晶粒的增大而减小；分析还表明，体电阻率在Ｎ＞Ｎ＾＊时对于精确估计迁移率的重要性，以及大晶粒的多晶硅结构有利于材料电阻率的控制和降低。

关 键 词：多晶硅膜 陷阱模型 电特性 模拟分析 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]