准分子激光烧结玻璃衬底上多晶硅薄膜材料的制备  

Preparation of Polycrystalline Silicon Thin Films by Excimer-laser-annealing Method

作　　者：邱法斌[1] 骆文生[1] 张玉[1] 刘传珍[1] 荆海[1] 黄锡珉[1] 

机构地区：[1]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

出　　处：《液晶与显示》2001年第3期170-175,共6页Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

基　　金：中国科学院"九五"重大项目 (KY95 1 -A1 -5 0 2 ) ;吉林省科委"九五"科技攻关项目 (970 1 0 3 -0 1 )

摘　　要：在 PECVD法制备 a- Si:H薄膜材料基础上 ,以 Xe Cl准分子激光烧结为手段 ,对在玻璃衬底上制备多晶硅薄膜材料的工艺条件进行了探索 ,利用 XRD、 SEM、 Raman光谱等分析测试手段对所制备材料的结构特征进行了表征。较高的衬底温度、合适的激光能量密度和脉冲频率 ,有利于获得高质量的多晶硅薄膜。Based on the a-Si∶H thin films deposited by PECVD method, the preparing technique of polycrystalline silicon thin films on glass substrate by XeCl excimer-laser-annealing method was investigated. The film structure was characterized by XRD, SEM and Raman spectrometry. It is shown that a high quality p-Si thin film can be get employing high substrate temperature, suitable laser energy density and pulse frequency.

关 键 词：多晶硅膜 准分子激光烧结 玻璃衬底 制备 

分 类 号：TN304.105[电子电信—物理电子学]