热壁 LPCVD 氮化硅薄膜的制备及其应用  

作　　者：程开富[1] 刘心莲[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所

出　　处：《电子工业专用设备》1997年第3期28-31,共4页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：论述了热壁低压化学汽相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备氮化硅薄膜的工艺过程。对氮化硅薄膜进行测试分析，用它作介质膜、钝化膜，并作出了多种性能良好的光电器件。

关 键 词：热壁LPCVD 氮化硅 半导体薄膜技术 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]