李姚

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：成核衬底高电子迁移率晶体管功率开关缓冲层更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》更多>>
所获基金：教育部重点实验室开放基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
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金刚石衬底上GaN HEMT沟道温度建模:各向异性且非均匀热导率的影响被引量：1
《人工晶体学报》2022年第2期222-228,共7页李姚 郑子轩 蒲红斌 
宽禁带半导体材料教育部重点实验室开放基金(Kdxkf2019-01);陕西省教育厅科研计划(21JK0809)。
为了改善GaN HEMT的自热效应,集成高热导率的金刚石衬底有助于增强器件有源区的热量耗散。然而,化学气相淀积(CVD)生长的多晶金刚石(PCD)具有柱状晶粒结构,导致了各向异性的材料热导率,且其热导率值与生长厚度有关。为此,通过建模金刚...
关键词：GaN HEMT 沟道温度 各向异性 热导率 解析模型 器件热阻 
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