基于TEOS-O_2-N_2淀积SiO_2工艺研究  

Research of Deposition SiO_2 Process Based on TEOS-O_2-N_2

作　　者：谭德喜 巨峰峰 顾晓春 翁长羽 刘道广[2] 

机构地区：[1]扬州国宇电子有限公司,江苏扬州225009 [2]清华大学核能与新能源研究院402研究室,北京100084

出　　处：《电子工艺技术》2012年第5期262-264,299,共4页Electronics Process Technology

基　　金：电子发展基金项目(项目编号:2010-301)

摘　　要：采用正硅酸乙脂热分解系统(TEOS-O2-N2)淀积SiO2工艺在大功率垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件及产品的研发和生产中有着非常重要的应用。主要介绍了正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅(SiO2)系统调试。通过大量的实验建立用正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅的工艺参数,并把实验淀积二氧化硅用于垂直双扩散金属氧化物半导体器件及产品的研发和生产中,取得了较为理想的结果。Si02 deposited by TEOS-O2-N2 system is very important in the high-power VDMOS production. Mostly introduce deposition system of TEOS-O2-N2. Process parameters was built over a very large number of trials about deposition system of TEOS-O2-N2 and Si02 deposited by TEOS-O2-N2 system is applied in the VDMOS development and manufacture and the results are satisfactory.

关 键 词：TEOS 淀积系统 VDMOS 栅源漏电 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]