雒睿

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供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题：SIGE_HBTJUNCTIONSHBEGRADEDBC更多>>
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Influence of Heterojunction Position on SiGe HBTs with Graded BC Junctions
《Journal of Semiconductors》2008年第8期1491-1495,共5页雒睿 张伟 付军 刘道广 严利人 
The influence of a heterojunction in the vicinity of a graded BC junction on the performance of npn SiGe HBTs is studied. SiGe HBTs differing only in heterojunction position in the vicinity of a graded BC junction are...
关键词：SiGe HBT BC junction HBE relative position device performance 
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