严利人

作品数：36被引量：45H指数：4
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发文主题：晶圆片半导体制造设备激光激光退火半导体制造技术更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学经济管理更多>>
发文期刊：《微电子学》《微细加工技术》《Journal of Semiconductors》《世界科技研究与发展》更多>>
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数据挖掘在IGBT模型参数提取中的应用研究被引量：2
《微电子学》2020年第6期848-852,共5页严利人 刘道广 刘志弘 
广东省重点领域研发计划项目(2019B010143002)。
针对半导体器件的SPICE模型参数提取,提出了一种正向处理技术。对于选定的器件和模型,大量运行不同模型参数组合下的SPICE仿真,获得各种不同的电特性曲线,形成超大规模的数据集。若通过测试得到了确实的测试数据,则通过数据挖掘和人工...
关键词：批量仿真 数据挖掘 KNN算法 多元回归 
MOS器件开启电压值的贝叶斯统计推断被引量：1
《微电子学》2020年第5期659-663,共5页严利人 刘道广 刘志弘 梁仁荣 
广东省重点领域研发计划项目(2019B010143002)。
在实践中准确地测定和表征出MOS器件样管的开启电压,对于大规模集成电路的设计以及将MOS器件作为分立器件的在电路应用,均是至关重要的。文章采用贝叶斯统计推断工具用于器件输入曲线的处理,从中提取出与器件开启有关的更为精准和深入...
关键词：贝叶斯统计推断 开启电压 最大后验估计 后验分布 
熔性/亚熔性激光退火工艺过程数值分析被引量：2
《微电子学》2015年第1期125-129,135,共6页王浩 严利人 周伟 孙德明 王全 张伟 
国家科技重大专项课题资助项目(2011ZX02503-004)
熔性/亚熔性激光退火在IGBT类电力电子器件制造中有着重要的作用。该工艺涉及瞬间、局部、高强度的能量馈入冲击,材料在升温段涉及固态至亚熔或局部熔化状态的相变,在随后降温段的退火,还有离子注入杂质在此短暂过程中的激活和扩散再分...
关键词：激光退火 热场分析 杂质再扩散 
浅结激光退火的实验研究及工艺模型被引量：1
《微电子学》2012年第6期889-892,896,共5页李岱 严利人 张伟 周卫 刘志弘 
国家科技重大专项课题资助项目(2009ZX02037-002)
随着器件尺寸缩小,浅结、超浅结的制作日益成为重要的工艺模块。对于22nm及以下技术代来说,除了采用低能离子注入获得极浅的原始注入分布外,通常还采用短时或者瞬时激光退火来激活注入杂质,以保持原始的注入杂质不发生明显的扩散再分布...
关键词：激光退火 工艺模型 浅结 
单片集成微波/射频功率放大器技术进展被引量：3
《微电子学》2011年第4期594-598,共5页李强 严利人 周卫 张伟 
回顾了一些用于微波单级功率放大器的传统技术方案,讨论了各自的优缺点。从电路模块的角度,总结了若干兼顾功放线性度和效率指标的典型电路拓扑形式,包括Doherty电路、包络消除与恢复(EER)技术、LINC技术等,并总结了当前主要采用的基于...
关键词：微波单片集成电路 功率放大器 线性度 效率 
IC制造作业调度及资源配置机制研究
《微电子学》2010年第6期893-898,共6页胡尊刚 严利人 周卫 刘志弘 
国家自然科学基金资助项目(60976013)
考察和分析了当前流行的IC作业调度的算法模式。在此基础上,将制造系统中的作业调度回归到本原意义上,即制造资源优化配置必须保证制造步骤得以实施,得出既处理待加工硅片,也处理加工设备的双资源调度路线。结合判决式实例(Benchmark),...
关键词：IC制造 作业调度 资源配置 
高性能及新颖性A/D转换器技术综述被引量：7
《微电子学》2008年第6期805-810,共6页黄伟 严利人 周卫 
集成模数转换技术是模拟集成电路中一个重要的分支。随着近几十年集成电路制造技术的飞速发展,集成A/D转换器的性能也在不断地提升。文章在总结归纳近期技术文献的基础上,概述了A/D转换器在高精度和高速度两个主要发展方向上的关键技术...
关键词：A/D转换器 高精度A/D转换器 高速A/D转换器 新颖A/D转换器结构 
用于微波功率器件的层级式片上功率合成技术
《微电子学》2008年第5期691-696,共6页黄伟 严利人 周卫 
提出了一个包含版图分布参数和引线寄生参数在内的微波功率HBT的宏模型,建立了通过微波仿真进行器件结构优化的技术方法。基于以上模型和方法,较为全面地评估了实际器件中各寄生参数对器件输出功率的影响,继而提出了片上功率合成的层级...
关键词：微波功率器件 大信号模型 SIGE HBT 功率合成 
Influence of Heterojunction Position on SiGe HBTs with Graded BC Junctions
《Journal of Semiconductors》2008年第8期1491-1495,共5页雒睿 张伟 付军 刘道广 严利人 
The influence of a heterojunction in the vicinity of a graded BC junction on the performance of npn SiGe HBTs is studied. SiGe HBTs differing only in heterojunction position in the vicinity of a graded BC junction are...
关键词：SiGe HBT BC junction HBE relative position device performance 
IC制造中的ARMA模型分析与动态工艺控制
《微电子学》2008年第2期187-191,共5页黄伟 窦维治 刘道广 严利人 
提出了动态工艺条件控制的概念,即通过引入自适应算法ARMA,可对集成电路制造工艺效果进行预测,并根据预测结果,对工艺条件加以实时的调整控制,达到改善成品率的目的。采用动态工艺条件控制,打破了几十年来IC制造的固定模式,是IC制造领...
关键词：半导体工艺 成品率 动态工艺控制 ARMA模型 时间序列预测 
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