自混频

作品数:24被引量:79H指数:4
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相关作者:吴韵秋赵晨曦康凯罗遵度刘辉华更多>>
相关机构:电子科技大学中国科学院中国科学院福建物质结构研究所中国科学技术大学更多>>
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基于0.18μm CMOS工艺的300GHz高响应度探测器
《半导体技术》2023年第5期408-413,442,共7页徐雷钧 汪附凯 白雪 张子宇 赵心可 姜高峰 
国家自然科学基金资助项目(61874050)。
基于0.18μm CMOS工艺设计了一种300 GHz高响应度探测器。该探测器集成了双馈差分天线和双场效应管(FET)对称差分自混频电路。双馈差分天线较单馈天线有更高的精确度及更优的抗干扰性。差分自混频电路能有效地抑制共模信号,减小噪声输...
关键词:互补金属氧化物半导体(CMOS) 高响应度 双馈差分天线 对称差分自混频电路 放大电路 
源漏偏置电压对AlGaN/GaNHEMT太赫兹探测器灵敏度的调控被引量:2
《微纳电子技术》2021年第10期875-881,共7页刘亮 熊圣浩 丁青峰 冯伟 朱一帆 秦华 
国家自然科学基金资助项目(61775231,61975227);江苏省重点研发计划项目(BE2018005)。
天线耦合的场效应晶体管(FET)太赫兹自混频探测器通常工作在零源漏偏压下,设置恰当的栅极电压可获得最佳的灵敏度。测试分析了天线耦合AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)太赫兹自混频探测器的源漏偏置电压对太赫兹自混频响应度和噪声...
关键词:太赫兹探测器 高电子迁移率晶体管(HEMT) 氮化镓(GaN) 噪声等效功率(NEP) 自混频 噪声 
基于0.15μm GaAs pHEMT工艺的X波段自混频三倍频器被引量:3
《微电子学》2020年第5期637-642,共6页何勇畅 毛小庆 陈志巍 喻青 曹军 高海军 
国家自然科学基金资助项目(61871161)。
基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种自混频三倍频器,实现了将X波段信号倍频为Ka波段信号。仿真结果表明,该三倍频器的相对带宽为16%,频率覆盖范围为8.9~10.5 GHz,涵盖了大部分的X波段。当输入信号为0 dBm时,在9.5 GHz频点处的输出...
关键词:三倍频器 自混频 无源Marchand巴伦 倍频器 
基于AlGaN/GaN场效应晶体管的太赫兹焦平面成像传感器被引量:12
《红外与激光工程》2018年第3期234-239,共6页罗木昌 孙建东 张志鹏 李想 申志辉 王颖 陈红兵 董绪丰 张金峰 陈扬 周建勇 秦华 
国家自然科学基金(61401456;61271157;61401297;61611530708);国家重点研发计划(2016YFF0100501)
太赫兹波成像技术在人体安检、医学成像、无损检测等领域具有广泛的应用前景。文中面向高速、高灵敏度和便携式太赫兹成像应用需求,设计实现了一种基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管自混频检测机制的太赫兹焦平面成像传感器。该焦平面成...
关键词:太赫兹自混频探测器 高电子迁移率晶体管 CMOS读出电路 焦平面成像 
基于天线优化的GaN/AlGaN HEMT太赫兹探测器被引量:1
《微纳电子技术》2017年第10期653-657,683,共6页孙云飞 班建民 陶重犇 胡伏原 孙建东 田学农 
国家自然科学基金资助项目(61401297,61401456);中国科学院纳米器件与应用重点实验室开放课题资助项目(14ZS05);江苏省自然科学基金资助项目(BK20140283)
介绍了一种基于天线优化的GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的高灵敏度室温太赫兹探测器。在太赫兹波辐射下,太赫兹天线可以高效收集太赫兹波的能量进而提高探测器的性能指标。利用有限时域差分(FDTD)法对太赫兹天线的特征尺寸(源、...
关键词:探测器 太赫兹 高电子迁移率晶体管(HEMT) 自混频 有限时域差分 (FDTD)法 
激光多普勒自混频技术的研究被引量:1
《中国新通信》2015年第10期113-113,共1页姚臣益 
结合自混合干涉原理和多普勒测速原理,将多普勒频移现象引入激光二极管。当来自被照射的物体表面的反射或散射光反馈回激光器时,把光强调制成为多普勒的频移信号。安装在激光器尾部的光电二极管,检测光学反馈生成的频移信号确定物体的...
关键词:激光多普勒效应 激光自混合干涉 VCSEL激光器 振动测量 
基于自混频的多跳频信号跳周期估计被引量:1
《太赫兹科学与电子信息学报》2014年第4期518-526,共9页程曙晖 王斌 
国家自然科学基金资助项目(61201381)
针对跳频信号参数估计方法大多难以适应多跳频信号同时存在,且没有考虑信道衰落及定频干扰等复杂电磁环境的影响,提出一种基于延时自混频的多跳频信号跳周期估计方法。该方法通过延时自混频方式构造辅助信号,提取辅助信号的直流分量,进...
关键词:跳频信号 自混频 跳周期 拐点检测 
自混频技术及其在电子对抗中的应用分析被引量:1
《科技创新与应用》2014年第21期75-76,共2页罗冰 
通过对目前电子战接收机需求分析,回顾晶体检波视频接收机和超外差接收机的部分优缺点,推荐一种自混频技术。最后讨论了几种形式的自混频接收机结构形式、信号特征及可能的应用方向。
关键词:自混频 接收机 应用 
基于带通滤波片的激光二极管自混频纳米颗粒干涉测量技术被引量:1
《光学学报》2012年第5期63-69,共7页张秋长 沈建琪 王华睿 陈先庆 
国家自然科学基金(50876069);高等学校博士学科点专项科研基金(20093120110006);上海市科委科技支撑计划(10540501000)资助课题
激光二极管自混频技术可用于纳米颗粒的测量,采用多通道带通滤波技术分别测量了180,100,60nm三种纳米颗粒,获得自混频信号的频带功率谱(PS-BPF)。作为比较,对实时提取的自混频信号进行傅里叶变换得到功率谱密度(PSD)函数。分别对PSD函数...
关键词:测量 激光二极管自混频干涉测量 功率谱密度 频带功率谱 
高响应度GaAs-MSM光电自混频面阵器件被引量:4
《激光与红外》2011年第8期925-928,共4页张立臣 汪韬 尹飞 杨瑾 胡雅楠 
国家自然科学基金(No.60707018);西部之光(No.2005ZD01)资助
采用LP-MOCVD方法生长并制作了GaAs基底肖特基势垒的MSM光电自混频器件。器件为面阵式结构,象元数目为32×32。对器件的光电参数进行测试分析,器件的响应度在偏压为3 V时,达到8.25 A/W,暗电流小于18 nA,对应的光电流密度为59.1μA/cm2,...
关键词:光电集成 光电自混频器 金属有机气象外延 GaAs-MSM 
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