AlGaN/GaN HEMT电学特性的ATLAS模拟  

作　　者：张子砚 

机构地区：[1]贵阳学院电子与通信工程学院,贵州贵阳550003

出　　处：《科技风》2018年第11期53-54,共2页

基　　金：贵州省2014年联合基金项目(黔科合LH字[2014]7181号)

摘　　要：分析了AlGaN/GaN HEMT器件的结构及特性,2DEG的浓度与器件的电学特性的关系。在仿真软件ATLAS上构建器件模型,对器件的转移特性和输出特性进行了模拟仿真,并对仿真结果进行分析。

关 键 词：ALGAN/GANHEMT 2DEG 转移特性 输出特性 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]