一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路  

8 GHz High Efficiency Internally Matched AlGaN/GaN HEMT Power Amplifier

作　　者：张辉[1] 陈晓娟[1] 刘果果[1] 曾轩[1] 袁婷婷[1] 陈中子[1] 王亮[1] 刘新宇[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京100029

出　　处：《电子器件》2009年第1期24-27,共4页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新工程(批准号:KGCX2-SW-107)

摘　　要：论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试。该电路包含了1个10×100μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路。在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8GHz达到36.5 dBm(4.5 W),PAE为60%,线性增益10 dB;在偏置条件为VDS=30 V、IDS=0.19 A时输出连续波饱和功率在8 GHz达到35.6 dBm(3.6 W),PAE为47%,线性增益9 dB。The design and fabrication and test of an 8 GHz internally matched AlGaN/GaN HEMT Power Amplifier had been reported.The circuit is consisted of a 10×100 μm AlGaN/GaN HEMT and input and output matching networks.The developed internally matched power amplifier module has exhibited 4.5 W power output with 10 dB associated gain and 60% PAE at 8 GHz.

关 键 词：ALGAN/GANHEMT 内匹配 混合集成电路 功率放大器 

分 类 号：TN431[电子电信—微电子学与固体电子学]