王冬冬

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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：ALGAN/GAN_HEMTS场板HEMTSALGAN/GANX波段更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子器件》《Journal of Semiconductors》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>
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X波段AlGaN/GaN HEMTs Γ栅场板结构研究
《电子器件》2008年第6期1790-1793,共4页王冬冬 刘果果 刘丹 李诚瞻 刘新宇 和致经 
基于SiC衬底成功研制X波段0.25μm栅长带有Γ栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,设计场板(field plate)长度为0.4μm,0.6μm,0.7μm,0.9μm。研究了Γ栅场板长度及不同漏偏压下对器件直流,小信号特性及大信号的影响。器件直流I-V及转移特性并...
关键词：ALGAN/GAN HEMTS Γ栅场板 截止频率 功率密度 
X波段AlGaN/GaN HEMTs Γ栅场板结构研究(英文)
《半导体技术》2008年第10期850-854,922,共6页王冬冬 刘果果 刘丹 李诚瞻 刘新宇 
Project Supported bythe State Key Development Programfor Basic Research of China(2002CB311903);The Key Innovation Programof Chinese Academy of Sciences(KGCX2-SW-107)
基于SiC衬底成功研制X波段0.25μm栅长带有Γ栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,对比T型栅结构器件,研究了Γ栅场板引入对器件直流、小信号及微波功率特性的影响。结果表明,Γ栅场板结构减小器件截止频率及振荡频率,但明显改善器件膝点电压和...
关键词：ALGAN/GAN HEMTS Γ栅场板 截止频率 功率密度 
Carbon-Induced Deep Traps Responsible for Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs
《Journal of Semiconductors》2008年第6期1066-1069,共4页庞磊 李诚瞻 王冬冬 黄俊 曾轩 刘新宇 刘键 郑英奎 和致经 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新(批准号: KGCX2-SW-107)资助项目~~
Although outstanding microwave power performance of AlGaN/GaN HEMTs has been reported,drain current collapse is still a problem. In this paper,an experiment was carried out to demonstrate one factor causing the collap...
关键词：AlGaN/GaN HEMT current collapse carbon impurity deep trap 
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