不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究  

Three-dimensional simulation study of bias effect on single event effects of Si Ge heterojunction bipolar transistor

作　　者：张晋新[1] 贺朝会[1] 郭红霞[2,3] 唐杜[1] 熊涔 李培[2] 王信[2] 

机构地区：[1]西安交通大学,西安710049 [2]中国科学院新疆理化技术研究所,中科院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011 [3]西北核技术研究所,西安710024

出　　处：《物理学报》2014年第24期442-449,共8页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61274106;11175138)资助的课题~~

摘　　要：针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体器件三维计算机模拟工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究不同偏置状态对SiGe HBT单粒子效应的影响.分析比较不同偏置下重离子入射器件后,各端口电流瞬变峰值和电荷收集量随时间的变化关系,获得SiGe HBT单粒子效应与偏置的响应关系.结果表明:不同端口对单粒子效应响应的最劣偏置不同,同一端口电荷收集量和瞬变电流峰值的最劣偏置也有所差异.载流子输运方式变化和外加电场影响是造成这种现象的主要原因.In this paper we establish a three-dimensional （3D） numerical simulation model of domestic SiGe heterojunction bipolar transistor （SiGe HBT） by using technology computer aided design tools, to study the bias effect on single event effect （SEE） of SiGe HBT. The response relationship between SEE and the bias of SiGe HBT is identified based on the analyses of transient current peak and charge collection of each terminal. The results show that the worst biases for SEE are different for different terminals. Even for the same terminal, the worst biases for charge collection and transient current peak are different. This phenomenon is caused mainly by the influence of applied electric field and the change of carrier transport mode.

关 键 词：锗硅异质结双极晶体管 不同偏置 单粒子效应 三维数值仿真 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]