中芯国际28nm HKMG工艺成功流片  

出　　处：《中国集成电路》2016年第3期1-1,共1页China lntegrated Circuit

摘　　要：中芯国际日前宣布，28nm高介电常数金属栅极（HKMG）工艺已经成功流片。中芯国际是中国大陆第一家能够同时提供28nm多晶硅（PolySiON）、28nmHKMG工艺的晶圆代工企业。与传统的Poly SiON工艺相比，HKMG技术可有效改善驱动能力，进而提升晶体管的性能，同时大幅降低栅极漏电量。

关 键 词：工艺 国际 金属栅极 高介电常数 中国大陆 晶圆代工 POLY 驱动能力 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]