实现高k/金属栅结构的介质化学机械平坦化技术  

作　　者：张月[1] 纪承尧 张慧斌 赵明[2] 屈敏[2] 杨涛[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心 [2]北方工业大学材料系

出　　处：《电子世界》2020年第22期113-115,共3页Electronics World

摘　　要：近年来,随信息技术的迅猛发展,对集成电路性能、功耗不断提出更高的需求。在摩尔定律的推动下,集成电路的晶体管集成密度越来越高,不断更新迭代的先进制造技术是提升集成电路密度、提高性能、降低功耗的重要保障。集成电路制造工艺经历了从微米级向纳米级的快速发展,经历多个重要的技术节点,分别是500nm、180nm、130nm、90nm、65nm、45nm、28nm、22nm,14nm、7nm,根据国际半导体技术蓝图预测,一直可以发展到未来的1.5nm。

关 键 词：化学机械平坦化 半导体技术 摩尔定律 集成密度 集成电路 先进制造技术 金属栅 信息技术 

分 类 号：F42[经济管理—产业经济]