贺晓彬

作品数:2被引量:2H指数:1
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供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题:刻蚀光刻胶电子束曝光电子束掩模更多>>
发文领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>
发文期刊:《真空》《微纳电子技术》更多>>
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射频等离子体去胶及表面清洗工艺技术研究
《真空》2025年第2期56-61,共6页田文娟 贺晓彬 焦斌斌 
简要介绍了等离子去胶和清洗的化学、物理变化过程;系统分析了决定去胶效果和去胶均匀性的因素,并给出了相应的方案和最优参数匹配原理,通过实验研究了不同工艺条件下微米级及纳米级Ar-F光刻胶的最优去除工艺参数;探讨了等离子体清洗反...
关键词:等离子体 干法去胶 去胶速率 去胶均匀性 表面改性 
用于纳米器件的电子束与光学混合光刻技术被引量:2
《微纳电子技术》2013年第6期386-390,共5页陈广璐 唐波 唐兆云 李春龙 孟令款 贺晓彬 李俊峰 闫江 
国家科技重大专项22 nm先导工艺项目(2009ZX02035-006);中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室课题基金资助项目
成功开发出了一种可用于纳米结构及器件制作的电子束与光学光刻的混合光刻工艺。通过两步光刻工艺,在栅结构层上采用大小图形数据分离的方法,使用光学光刻形成大尺寸栅引出电极结构,利用电子束直写形成纳米尺寸栅结构,并通过图形转移工...
关键词:电子束光刻(EBL) 电子束直写(EBDW) 邻近效应 混合光刻 纳米器件 后栅工艺 
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