选择性刻蚀

作品数：29被引量：35H指数：3
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相关作者：朱慧珑殷华湘钱林茂余丙军张鹤鸣更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国科学院上海华力微电子有限公司更多>>
相关期刊：《半导体技术》《光电子技术》《化工学报》《摩擦学学报（中英文）》更多>>
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Fe-Mn-Al-Ni-C轻质钢的光热转换性能
《粉末冶金材料科学与工程》2025年第1期60-70,共11页李诗瑶 章飞 陈梅洁 李开洋 熊志平 宋旼 王章维 
国家重点研发计划资助项目(2022YFE0134400);冲击环境材料技术重点实验室基金项目(6142902220101)。
本文结合表面刻蚀和原位氧化工艺,采用X射线衍射仪、扫描电镜、能谱仪、X射线光电子能谱仪、光纤光谱仪、傅里叶变换红外光谱仪等,通过调控氧化温度研究Fe-Mn-Al-Ni-C轻质钢表面氧化产物的变化及其对光热转换性能的影响。结果表明:相较...
关键词：轻质钢 选择性刻蚀 原位氧化 光热转换 太阳能选择性吸收材料 
基于摩擦诱导选择性刻蚀的低反射率锗表面加工研究
《机械工程学报》2024年第23期294-303,共10页王义飞 何旺 陈婷婷 崔立聪 汪红波 余丙军 钱林茂 
国家自然科学基金青年基金(52003037);四川省自然科学基金青年基金(2023NSFSC0977);西南交通大学新型交叉学科培育基金(2682022KJ017、2682023KJ022)资助项目。
具有特定表面结构的单晶锗在保持高红外折射率、低吸收、低色散、抗高温等传统优势的同时还具有反射率低的显著特点,这为高性能红外光学元器件制造、红外热辐射控制、光学涂层和减反技术的发展提供了理想的选择。湿法刻蚀在加工特定表...
关键词：单晶锗 超低反射率 超构表面 摩擦诱导选择性刻蚀 红外减反结构 
原位氧化FeNiMnAlCrC高熵合金的光热转换性能被引量：1
《中国有色金属学报》2024年第11期3595-3607,共13页李雨洁 章飞 陈梅洁 李开洋 熊志平 宋旼 王章维 
国家重点研发计划资助项目(2022YFE0134400);冲击环境材料技术国家重点实验室基金资助项目(6142902220101);中南大学研究生自主探索创新项目(2023ZZTS0273)。
本文采用经济的原位氧化和选择性刻蚀工艺,通过调控氧化温度和表面粗糙度,研究了Fe_(40)Ni_(11)Mn_(35)Al_(7)Cr_(6)C_(1)(摩尔分数,%)高熵合金表面的氧化产物变化及其对太阳能光热转换性能的影响。结果表明:在500~700℃范围内,随着温...
关键词：高熵合金 原位氧化 选择性刻蚀 光热转换 太阳能选择性吸收材料 
环栅晶体管制备中SiGe选择性刻蚀技术综述
《材料导报》2024年第9期14-20,共7页刘恩序 李俊杰 刘阳 杨超然 周娜 李俊峰 罗军 王文武 
中国科学院先导A项目(XDA0330300);中国科学院支撑技术人才项目(E2YR01X001)。
环栅(Gate-all-around,GAA)晶体管是3 nm以下节点替代现有鳍式晶体管(FinFET)最有竞争力的器件结构,能有效改善器件尺寸不断微缩带来的短沟道效应。与FinFET相比,GAA器件制备的工艺流程中内侧墙制备和沟道释放是新引入的工艺模块,均需要...
关键词：锗硅 选择性刻蚀 环栅 内侧墙 沟道释放 纳米线 纳米片 
超临界二氧化碳介质中晶圆清洗与选择性刻蚀研究进展被引量：3
《化工学报》2024年第1期110-119,共10页张泽欣 郑伟中 徐益升 胡冬冬 卓欣宇 宗原 孙伟振 赵玲 
随着集成电路特征尺寸的逐渐减小,器件结构会要求更高的纵横比,常规湿法清洗由于表面张力很难进入晶圆深沟槽结构内部,不能满足更细线条工艺要求和高深宽比结构,直接影响沟槽内的污染物去除效果;常规湿法刻蚀各向异性差、结构坍塌严重...
关键词：晶圆清洗 晶圆刻蚀 超临界二氧化碳 超临界流体 微乳液 
面向水平GAA内侧墙模块的干法Si_(0.7)Ge_(0.3)选择性刻蚀研究
《真空科学与技术学报》2023年第5期396-402,共7页刘阳 李俊杰 吴次南 张青竹 王桂磊 周娜 高建峰 孔真真 韩江浩 罗彦娜 刘恩序 杨涛 李俊峰 殷华湘 罗军 王文武 
中科院先导A项目(XDA0330300);中国科学院支撑技术人才项目(E2YR01X001);环栅(GAA)纳米片器件干法释放功能开发(E2SH01X)。
针对环栅(Gate-All-Around,GAA)Si_(0.7)Ge_(0.3)的内侧墙(Inner spacer)空腔刻蚀难以精确控制尺寸和形貌的问题,本研究基于常规电感耦合等离子体(inductively coupled plasma,ICP)刻蚀设备,采用CF_(4)/O_(2)/He混合气体进行Si_(0.7)Ge_...
关键词：Si_(0.7)Ge_(0.3) 空腔刻蚀 刻蚀精度 粗糙度 刻蚀形貌 
(100)与(111)晶面硅基金属整片键合后选择性去衬底技术
《光电子技术》2023年第1期1-6,共6页杜佳怡 聂君扬 孙捷 林畅 吴大磊 杨天溪 黄忠航 严群 
福建省科技厅项目(2021HZ0114,2021J01583,2021L3004);中国福建光电信息科学与技术创新实验室项目(2021ZZ122)。
采用硅基金属整片键合后选择性去衬底技术,通过热压键合技术将(100)晶面硅与(111)晶面硅高温键合,利用聚二甲基硅氧烷保护(100)晶面硅衬底,再粗化(111)晶面硅衬底加快其刻蚀速率,后通过湿法选择性刻蚀去除(111)晶面硅衬底。此技术在不...
关键词：硅基微米级发光二极管 巨量转移 硅基互补金属氧化物半导体 热压键合 选择性刻蚀 
GaAs基VCSEL干法刻蚀技术研究综述被引量：1
《红外》2023年第2期24-34,共11页范昊轩 张文博 李沐泽 郝永芹 
国家自然科学基金项目(11474038);吉林省科技发展计划项目(20200401073GX)。
GaAs基垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)自1977年问世以来,凭借阈值电流较低、光束质量很高、可集成到二维阵列、易单模激射等优势被广泛应用于各个领域,但是其尺寸过小而在制造中难以精确控制精度、...
关键词：GAAS 垂直腔面发射激光器 干法刻蚀 选择性刻蚀 刻蚀损伤 
化学气相沉积法制备石墨烯的转移技术研究进展被引量：4
《化工新型材料》2022年第9期266-269,共4页陈天山 宋文轩 胡天娇 李义和 
国家“973”计划资助项目(613310401);湖南省自然科学基金(2020JJ5654)。
化学气相沉积法能够大面积合成石墨烯,但将生长的石墨烯转移到应用基底上是十分重要的问题。传统转移方法能够将石墨烯转移到特定的基底上,但不可避免有裂缝、残胶和褶皱等不足,综述了石墨烯薄膜的转移和直接在绝缘基底表面生长的方法,...
关键词：石墨烯 转移方法 选择性刻蚀 
MXenes的制备、结构调控及电化学储能应用被引量：1
《化学进展》2022年第3期665-682,共18页管可可 雷文 童钊明 刘海鹏 张海军 
MXenes因其独特的二维层状结构、较高的比表面积、优异的导电性、良好的表面亲水性和化学稳定性,受到国内外研究者的广泛关注。近年来,研究者普遍采用含氟刻蚀剂(HF与LiF-HCl等)选择性刻蚀MAX相中的A位元素,制备带有丰富表面基团的多层M...
关键词：MAX相 选择性刻蚀 MXenes 结构调控 电化学储能 
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