晶圆清洗

作品数：25被引量：20H指数：3
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双流体清洗在晶圆减薄设备上的应用
《中文科技期刊数据库(文摘版)工程技术》2025年第2期025-028,共4页贺东葛 梁津 刘宇 
在半导体晶圆薄化加工的过程中,晶圆表面会产生晶圆碎屑和研磨脱落的材料,若无法清理干净会导致晶圆出现破片、崩裂等影响,严重影响产品质量,导致后续晶圆加工无法进行,本文主要介绍了双流体清洗在晶圆减薄设备上的方案及清洗优势,针对...
关键词：双流体清洗 晶圆减薄 晶圆清洗 
含氮碱基缓蚀剂在铜研磨抛光后清洗液中的应用
《集成电路应用》2024年第2期48-51,共4页史筱超 马丽 王溯 
阐述对比不同缓蚀剂配方对铜dummy片表面腐蚀抑制的影响,并辅助不同温度、时间、浓度下的不同缓蚀剂腐蚀速率,提出含有含氮碱基缓蚀剂配方的优势。对比不同缓释剂配方的清洗效果、表面粗糙度、对PVA清洗刷表面划伤的影响,进一步验证含...
关键词：集成电路制造 PCMP 缓蚀剂 腐蚀 晶圆清洗 
超临界二氧化碳介质中晶圆清洗与选择性刻蚀研究进展被引量：3
《化工学报》2024年第1期110-119,共10页张泽欣 郑伟中 徐益升 胡冬冬 卓欣宇 宗原 孙伟振 赵玲 
随着集成电路特征尺寸的逐渐减小,器件结构会要求更高的纵横比,常规湿法清洗由于表面张力很难进入晶圆深沟槽结构内部,不能满足更细线条工艺要求和高深宽比结构,直接影响沟槽内的污染物去除效果;常规湿法刻蚀各向异性差、结构坍塌严重...
关键词：晶圆清洗 晶圆刻蚀 超临界二氧化碳 超临界流体 微乳液 
考虑工件释放时间和柔性维护的单机调度问题被引量：2
《计算机集成制造系统》2023年第2期581-592,共12页李小林 司佳佳 尹传传 李玉鹏 
国家自然科学基金资助项目(71401164);中国博士后科学基金资助项目(2018M642367)。
针对晶圆制造过程中考虑清洗维护的生产调度联合优化问题,以最小化最大完工时间为求解目标,优化工件加工顺序及维护活动执行时间。证明了该问题为NP难的,建立了问题的整数规划模型并进行线性化。结合机器役龄约束下的成批调度问题特征,...
关键词：单机调度 晶圆清洗 柔性维护 释放时间 启发式算法 
基于湿法清洗中快排槽节水性能的优化研究
《电子工业专用设备》2020年第2期53-56,共4页赵宏亮 高津平 刘建民 边晓东 
现有的清洗设备中,当完成晶圆的清洗工艺后,再次利用快速排水的工艺方法会消耗大量水资源。针对这一问题,探讨了一种适用于该类工艺流程的节水设计方案。通过改进排放阀的结构,将废水排放与回收功能集成相结合,使得去离子水的利用率得...
关键词：晶圆清洗 快排阀 快排槽 
快排清洗槽中节水阀的应用分析被引量：1
《清洗世界》2020年第3期43-45,共3页赵宏亮 边晓东 刘建民 高津平 
在晶圆的清洗洁净过程中,利用快速排水清洗槽进行快速排水清洗法是比较常见的一种晶圆清洗方式。快速排水清洗法是先将晶圆完全浸泡于快速清洗槽的去离子水中,再快速排除清洗槽中的去离子水,用于达到清洗晶圆的目的。现有的清洗设备中,...
关键词：晶圆清洗 节水阀 QDR 
晶圆清洗技术应用被引量：5
《清洗世界》2018年第7期10-12,共3页李东旭 陈立新 郭晓婷 马岩 蒋兴桥 荣宇 
介绍在半导体IC制成中晶圆清洗的重要性,随着集成电路的发展,对硅片的表面的洁净度要求越来越高,对比以往的湿法化学清洗存在的污染物质不易处理的问题,提出利用先进旋转喷淋技术,同时采用气液混合的清洗方式对硅片表面进行清洗,清洗后...
关键词：晶圆清洗机 晶圆清洗 旋转喷淋技术 
高频声表面波器件用压电晶圆清洗技术研究
《压电与声光》2013年第3期318-319,328,共3页刘善群 汤旭东 喻卫兵 陶玲 伍平 刘晓莉 陆川 赵雪梅 
论述了低浓度碱性过氧化氢清洗液兆声清洗钽酸锂、铌酸锂和水晶等压电晶圆的工艺技术。在保持压电晶圆特性的前提下,该技术可有效去除晶圆表面小于0.2μm的附着颗粒,使其表面洁净度满足亚微米线宽高频声表面波(SAW)器件生产要求,同时降...
关键词：声表面波工艺 兆声清洗 压电晶圆 
晶圆清洗过程中静电电压超标原因与改进被引量：2
《电子与封装》2012年第4期31-33,37,共4页伏国秀 刘定斌 乔友学 
分析划片后的晶圆在清洗过程中静电电压严重超标的原因,提出4种改进方案,采用16种晶圆进行了验证。结果表明:清洗过程中关闭清洗机剥离胶膜用反冲气,操作人员佩戴防静电腕带,在取出晶圆过程中采用手持式可移动离子风枪对晶圆进行风淋,...
关键词：封装 静电电压超标 晶圆清洗 改进方案 
离子注入后晶圆清洗带来的材料和掺杂剂损失的测量
《集成电路应用》2009年第1期34-36,共3页Nikki Edleman Yong-Siang Tan Tom Tillery Stephen Savas Andreas Kadavanich Allan Wiesnoski 
对45nm及以下技术节点的逻辑器件制造来说,经过次数不断增加的高剂量离子注入光阻层的清洗步骤后,仍保持超浅结(USJ)的完整性非常重要。在PMOS区采用SiGe带来了材料方面的又一挑战。一种新型短循环法可精确测量各种去胶/清洗工艺造成的...
关键词：离子注入 精确测量 损失量 材料 清洗 掺杂剂 SIGE 逻辑器件 
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