离子注入后晶圆清洗带来的材料和掺杂剂损失的测量  

作　　者：Nikki Edleman Yong-Siang Tan Tom Tillery Stephen Savas Andreas Kadavanich Allan Wiesnoski 

机构地区：[1]IBM Microelectronics Hopewell Junction [2]Chartered Semiconductor Mfg.Ltd [3]Mattson Technology

出　　处：《集成电路应用》2009年第1期34-36,共3页Application of IC

摘　　要：对45nm及以下技术节点的逻辑器件制造来说,经过次数不断增加的高剂量离子注入光阻层的清洗步骤后,仍保持超浅结(USJ)的完整性非常重要。在PMOS区采用SiGe带来了材料方面的又一挑战。一种新型短循环法可精确测量各种去胶/清洗工艺造成的非晶硅或SiGe的损失量。

关 键 词：离子注入 精确测量 损失量 材料 清洗 掺杂剂 SIGE 逻辑器件 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学] TM935.2[电气工程—电力电子与电力传动]