谢茂浓

作品数：24被引量：20H指数：3
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供职机构：四川大学物理科学与技术学院微电子学系更多>>
发文主题：聚硅烷SIO平带电压氧等离子体处理真空紫外光更多>>
发文领域：电子电信理学文化科学电气工程更多>>
发文期刊：《怀化学院学报》《Journal of Semiconductors》《实验技术与管理》《微电子学》更多>>
所获基金：国家自然科学基金四川省高等教育教学改革工程人才培养质量和教学改革项目国家重点基础研究发展计划更多>>
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课堂讨论是培养本科人才创新能力的有效方法被引量：1
《高等教育发展研究》2008年第2期49-52,共4页石瑞英 龚敏 伍登学 谢茂浓 
由四川省高等教育教学改革工程人才培养质量和教学改革项目及四川大学新世纪教改工程项目支持
为了培养微电子学本科创新人才，我们在“微电子器件原理”课堂教学过程中通过基础教学内容与现代前沿研究成果相结合，师生互动训练学生的参与交流意识和能力，让学生以研究式的眼光吸收知识等方法，激发学生的学习热情，培养学生的探...
关键词：课堂讨论 主动学习能力 探索与创新意识 交流 合作及表达能力 
在专业实验教学中实现“实验就是科研”的教学理念
《高等教育发展研究》2007年第1期33-35,共3页石瑞英 龚敏 伍登学 马瑶 袁菁 万超 谢茂浓 
由四川省高等教育教学改革工程人才培养质量和教学改革项目、四川大学新世纪教改工程项目支持
21世纪是信息时代，微电子技术是21世纪信息时代的关键技术之一，也是现代一个国家综合实力的衡量标准。国家把微电子技术列为21世纪初重点发展的新技术，力争通过10年的时间，使我国成为世界上的微电子强国。我国急需大量合格的微电子...
关键词：科研 以学生为主体 实验 
电子束辐照对Poly-SiO_2/Si结构平带电压的影响
《怀化学院学报》2003年第5期32-35,共4页向少华 谢茂浓 张明高 
国家自然科学基金资助项目(编号 2 97710 2 4);怀化学院院级资助科研项目
利用剂量为 10 13 cm～ 10 16 cm- 2 ,能量为 0 .4Mev～ 1.8Mev的电子束辐照Poly -SiO2 Si结构 ,对辐照后样品进行了C -V特性曲线测试 .测试结果表明 ,高能电子束辐照Poly -SiO2 Si结构引起的MOS电容平带电压随辐照剂量、能量的增加...
关键词：原子-腔模拉曼 平带电压 聚硅烷 等离子体 四氢呋喃 抛光硅片 
金属-聚硅烷-硅结构的电容-电压特性
《物理化学学报》2003年第2期97-99,共3页彭志坚 司文捷 谢茂浓 傅鹤鉴 苗赫濯 
国家自然科学基金(29771024;59873015);国家重点基础研究发展规划(G2000067203-2)资助项目~
设计了metal-polysilane-silicon(MPS)结构.首次发现MPS结构具有电容-电压(C-V)特性,许多MPS结构的C-V曲线平带电压为正,且其C-V特性与聚硅烷枝化度一致,即随着聚硅烷枝化度提高,MPS结构C-V曲线明显向电压轴正向漂移.聚硅烷MPS结构有望...
关键词：聚硅烷 MPS结构 C-V特性曲线 平带电压 枝化度 
氧等离子体处理条件对poly-SiO_2/Si结构平带电压的影响被引量：1
《半导体光电》2002年第2期122-124,共3页向少华 谢茂浓 张明高 廖伟 
国家自然科学基金资助项目 (2 97710 2 4)
氧等离子体处理高阻P型、〈10 0〉硅片上的聚硅烷涂层 ,制备了SiO2 /Si结构。用C V技术测量其MOS结构平带电压 ,结果表明平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压和射频功率等条件的改变而变化。平带电压最小可达 - 0 .5 5～ - 0 .88...
关键词：氧等离子体 聚硅烷涂层 平带电压 
氧等离子体处理聚硅烷涂层制备二氧化硅薄膜
《怀化师专学报》2002年第2期48-50,共3页向少华 谢茂浓 
国家自然科学基金资助项目 (2 97710 2 4 )
用氧等离子体法在低温下已将自合成的聚硅烷涂层成功地转变为二氧化硅薄膜 红外光谱分析表明薄膜的Si-O伸缩振动特征峰为 10 75cm-1,并随处理时间的延长峰位向高波数移动 ,可至 10 88cm-1 光电子能谱测得薄膜中的O1s和Si2p的电子结合...
关键词：二氧化硅薄膜 制备方法 氧等离子体法 聚硅烷涂层 电子结合能 Si-O伸缩振动 
枝状聚硅烷的合成与表征被引量：5
《四川大学学报（自然科学版）》2001年第6期863-866,共4页马洪 苏志珊 曾红梅 彭志坚 傅鹤鉴 陈德本 谢茂浓 
国家自然科学基金 (5 98730 15 )
用“顺点滴式”方法改进了单体合成 ,较原“全混式”提高了产率 ,降低了消耗 ;用Wurtz法以二氯硅烷和三氯硅烷为原料 ,经“预聚”和“混聚”
关键词：“顺点滴式” “全混式” “预聚” “混聚” 枝状聚硅烷 合成 表征 Wurtz法 二氯硅烷 
氧等离子体处理条件对聚硅烷制备SiO_2/Si结构平带电压的影响
《半导体技术》2001年第1期57-59,共3页向少华 谢茂浓 张明高 廖伟 彭志坚 傅鹤鉴 
国家自然科学基金!(29771024)
氧等离子体处理高阻Ｐ型（１００）硅片上的聚硅烷涂层制备ＳｉＯ_２／Ｓｉ结构。其ＭＯＳ结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功率等条件的改变而变化，平带电压最小可达－０．５５～－０．８８Ｖ，比同一环境热氧化...
关键词：氧等离子体 聚硅烷涂层 平带电压 二氧化硅/硅结构 
一种制备SiO_(2)膜的方法——氧等离子体处理聚硅烷涂层被引量：2
《四川大学学报（自然科学版）》2000年第6期873-878,共6页谢茂浓 彭志坚 唐琳 傅鹤鉴 
国家自然科学基金(29771024).
作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层 ,成功地制备了SiO2 膜 由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数 ,随氧等离子体处理时间的不同在 10 65～ 10 88cm- 1范围变化 ;XPS谱给出Si2 p的结合能为 10 3.3～ 10 3.5eV ,硅氧原子比为 1∶1 99;激...
关键词：聚硅烷 氧等离子体处理 SiO_(2)薄膜 氧化物电荷 
高温热解聚硅烷制备SiC薄膜初探被引量：2
《广西师范大学学报（自然科学版）》2000年第3期20-23,共4页易春 谢茂浓 彭志坚 向少华 傅鹤鉴 
国家自然科学基金资助项目!( 2 91 71 0 2 4 )
用组合成的可溶性聚硅烷 1 71 0 A作涂膜材料 ,进行不同温度的真空热解或高纯氮下热解实验 .通过IR谱和 XPS谱分析 ,在 790～ 81 0 cm-1和 1 2 70 cm-1红外吸收特征峰分别对应 Si— CH3 摇摆振动和伸缩振动吸收峰 ,XP—Si谱给出 Si( 2 P...
关键词：聚硅烷 高温热解 IR谱 半导体材料 碳化硅薄膜 
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