廖伟

作品数：6被引量：8H指数：2
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供职机构：四川大学物理科学与技术学院物理学系更多>>
发文主题：6H-SIC辐照特性物理性质SIOSI结构更多>>
发文领域：电子电信理学哲学宗教冶金工程更多>>
发文期刊：《半导体光电》《半导体技术》《四川大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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通过改变费米能级钉扎效应制备6H-SiC欧姆接触的特性研究被引量：3
《四川大学学报（自然科学版）》2002年第3期492-494,共3页洪根深 廖勇明 廖伟 丁元力 邬瑞彬 刘洪军 龚敏 
作者通过氧化、刻蚀和沸水处理的方法 ,在n型 6H SiC的C面上制备了线性较好的欧姆接触 .作者对C面和Si面的欧姆接触的退火特性进行了比较和研究 ;并对形成欧姆接触的物理机理进行了讨论 ,研究了这种欧姆接触在大密度电流下的特性 .
关键词：6H-SIC 费米能级钉扎 欧姆接触 
氧等离子体处理条件对poly-SiO_2/Si结构平带电压的影响被引量：1
《半导体光电》2002年第2期122-124,共3页向少华 谢茂浓 张明高 廖伟 
国家自然科学基金资助项目 (2 97710 2 4)
氧等离子体处理高阻P型、〈10 0〉硅片上的聚硅烷涂层 ,制备了SiO2 /Si结构。用C V技术测量其MOS结构平带电压 ,结果表明平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压和射频功率等条件的改变而变化。平带电压最小可达 - 0 .5 5～ - 0 .88...
关键词：氧等离子体 聚硅烷涂层 平带电压 
SiO_2/6H-SiC界面的物理性质及其辐照特性的研究被引量：2
《四川大学学报（自然科学版）》2001年第S1期48-52,共5页廖伟 罗小蓉 廖勇明 洪根深 龚敏 
在p型及n型 6H -SiC外延衬底上成功地制备了MOS电容 ,通过高频C～V测试 ,研究了SiO2 /SiC系统的物理性质和电学性质 .发现在SiO2 /p -SiC界面存在大量的施主型界面态 ,在p -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的正电荷中心 ,而在n -SiC热氧化...
关键词：6H-SIC MOS电容 Γ辐照 
p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究被引量：1
《四川大学学报（自然科学版）》2001年第S1期53-56,共4页罗小蓉 廖伟 廖勇明 洪根深 龚敏 
作者研究了p型Al/6H -SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数 .采用电流 -电压法 (I～V) ,测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度b.对其基本电学参数n和b 的温度特性进行了研究 .分析了串联电阻对I～V特性的影响 .
关键词：6H碳化硅 肖特基二极管 宽禁带半导体 
氧等离子体处理条件对聚硅烷制备SiO_2/Si结构平带电压的影响
《半导体技术》2001年第1期57-59,共3页向少华 谢茂浓 张明高 廖伟 彭志坚 傅鹤鉴 
国家自然科学基金!(29771024)
氧等离子体处理高阻Ｐ型（１００）硅片上的聚硅烷涂层制备ＳｉＯ_２／Ｓｉ结构。其ＭＯＳ结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功率等条件的改变而变化，平带电压最小可达－０．５５～－０．８８Ｖ，比同一环境热氧化...
关键词：氧等离子体 聚硅烷涂层 平带电压 二氧化硅/硅结构 
直接光CVD类金刚石碳膜的初期成膜结构被引量：3
《半导体光电》1999年第6期405-408,共4页杜开瑛 石瑞英 谢茂浓 廖伟 张敏 
国家自然科学基金资助项目!(69676007)
以微波激励氙（Ｘｅ） 发射的真空紫外光（ＶＵＶ） 作光源，乙炔（Ｃ２Ｈ２） 作反应气体，采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ） 工艺，在硅（Ｓｉ） 、钼（ Ｍｏ） 及玻璃衬底上，１２０ ℃的低温下进行了类金刚石碳（ＤＬＣ） 膜的试...
关键词：类金刚石膜 光化学汽相淀积 X射线光电子能谱 扫描电子显微镜 
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