直接光CVD类金刚石碳膜的初期成膜结构  

The structure of initial DLC films prepared by direct photo chemical vapor deposition technique

作　　者：杜开瑛[1] 石瑞英[1] 谢茂浓[1] 廖伟[1] 张敏[1] 

机构地区：[1]四川大学物理系,成都610064

出　　处：《半导体光电》1999年第6期405-408,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目!(69676007)

摘　　要：以微波激励氙（Ｘｅ） 发射的真空紫外光（ＶＵＶ） 作光源，乙炔（Ｃ２Ｈ２） 作反应气体，采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ） 工艺，在硅（Ｓｉ） 、钼（ Ｍｏ） 及玻璃衬底上，１２０ ℃的低温下进行了类金刚石碳（ＤＬＣ） 膜的试生长。用Ｘ 射线光电子能谱（ＸＰＳ） 、扫描电子显微镜（ＳＥＭ） 等手段进行了初期成膜结构的测试分析。测试结果表明，在所有三种衬底上均能淀积生成ＤＬＣ 膜。其中Ｃ１ｓ 态原子的含量在６９ ．９８ ％ ～７４ ．６０ ％ 之间，相应的键合能为２８５ ．０ ～２８５ ．６ ｅＶ。淀积膜是以ＳＰ２ 键结构为主的ＤＬＣ膜。实验结果也表明，氧在成膜过程中是影响最大的因素。In this paper,we report the result of diamond like carbon films grown at comparatively low substrate temperature(120 ℃) on Si, Mo and glass substrates by direct photo chemical vapor deposition (CVD) technique.In the process,a microwave excited vacuum ultraviolet(VUV) Xe lamp is used as the light source and the mixture of C 2H 2 and Ar is used as reactive gases.X-ray photoelectron spectroscope (XPS) and scanning electron microscope (SEM) are used to study the growth process of primary DLC films.Their carbon atom content is from 69.98% to 74.60% with the binding energy of 285.0 eV to 285.6 eV. Our result is also shown that oxygen is the most important element affcting DLC film growth.

关 键 词：类金刚石膜 光化学汽相淀积 X射线光电子能谱 扫描电子显微镜 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]