洪根深

作品数：4被引量：5H指数：2
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供职机构：四川大学物理科学与技术学院物理学系更多>>
发文主题：6H-SIC欧姆接触MOS电容SIOΓ辐照更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《四川大学学报（自然科学版）》更多>>
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H_2表面处理形成Al/n型6H-SiC欧姆接触及其退化机制被引量：1
《四川大学学报（自然科学版）》2003年第3期488-491,共4页邬瑞彬 候永 洪根深 龚敏 
作者通过氢气表面热处理,获得了具有较好特性的Al/n 6H SiC欧姆接触.在这种H2处理后的SiC表面,可以直接通过蒸铝(Al)形成欧姆接触,而无须进行退火处理.该方法也适用于低掺杂外延层上的欧姆接触.XPS测试表明,这种欧姆接触是在400℃以上...
关键词：6H—SiC 欧姆接触 氢化 退火 互扩散 
通过改变费米能级钉扎效应制备6H-SiC欧姆接触的特性研究被引量：3
《四川大学学报（自然科学版）》2002年第3期492-494,共3页洪根深 廖勇明 廖伟 丁元力 邬瑞彬 刘洪军 龚敏 
作者通过氧化、刻蚀和沸水处理的方法 ,在n型 6H SiC的C面上制备了线性较好的欧姆接触 .作者对C面和Si面的欧姆接触的退火特性进行了比较和研究 ;并对形成欧姆接触的物理机理进行了讨论 ,研究了这种欧姆接触在大密度电流下的特性 .
关键词：6H-SIC 费米能级钉扎 欧姆接触 
SiO_2/6H-SiC界面的物理性质及其辐照特性的研究被引量：2
《四川大学学报（自然科学版）》2001年第S1期48-52,共5页廖伟 罗小蓉 廖勇明 洪根深 龚敏 
在p型及n型 6H -SiC外延衬底上成功地制备了MOS电容 ,通过高频C～V测试 ,研究了SiO2 /SiC系统的物理性质和电学性质 .发现在SiO2 /p -SiC界面存在大量的施主型界面态 ,在p -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的正电荷中心 ,而在n -SiC热氧化...
关键词：6H-SIC MOS电容 Γ辐照 
p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究被引量：1
《四川大学学报（自然科学版）》2001年第S1期53-56,共4页罗小蓉 廖伟 廖勇明 洪根深 龚敏 
作者研究了p型Al/6H -SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数 .采用电流 -电压法 (I～V) ,测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度b.对其基本电学参数n和b 的温度特性进行了研究 .分析了串联电阻对I～V特性的影响 .
关键词：6H碳化硅 肖特基二极管 宽禁带半导体 
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