袁菁

作品数：12被引量：13H指数：2
导出分析报告
供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
发文主题：6H-SICSIO电子辐照N-GAN肖特基势垒更多>>
发文领域：理学电子电信文化科学机械工程更多>>
发文期刊：《电子与封装》《中文科技期刊数据库（全文版）社会科学》《四川大学学报（自然科学版）》《高等教育发展研究》更多>>
所获基金：四川省高等教育教学改革工程人才培养质量和教学改革项目国家自然科学基金教育部重点实验室开放基金国家教育部博士点基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
浅析数字化时代高校老龄工作
《中文科技期刊数据库（全文版）社会科学》2022年第7期30-32,共3页袁菁 
四川大学党政管理服务研究项目成果:《党团共建,工群协作,探索党史学习教育“传帮带”模式》(项目编号:2021DZYJ-05)。
党的十九届五中全会将积极应对人口老龄化确定为国家战略,认真贯彻落实党中央、国务院关于老龄工作的决策部署,帮助老龄群体适应信息技术高速发展带来的生活方式、消费习惯的改变,提升他们在数字化时代的获得感、幸福感和安全感,是新时...
关键词：数字化 高校 老龄工作 
65nm n沟MOSFET的重离子辐照径迹效应研究
《电子与封装》2013年第5期27-30,共4页高婷婷 王玲 苏凯 马瑶 袁菁 龚敏 
国家自然科学基金项目(61176096)
重离子在SiO2中能产生永久径迹,因此它可能对MOS器件电学特性产生影响。文章用Geant4软件对Au和Sn两种离子进行蒙特卡洛模拟,重点分析高能粒子在SiO2中的能量沉积及径迹。基于模拟分析,对专门设计的65 nm n沟MOSFET器件进行Sn离子辐照实...
关键词：重离子辐照 径迹 65 nmn沟MOSFET 模拟 
6H-SiC表面热氧化SiO_2的正电子谱研究被引量：2
《四川大学学报（自然科学版）》2010年第2期331-334,共4页袁菁 龚敏 王海云 翁惠民 
本文将慢正电子湮灭多普勒展宽谱技术,应用于对SiC表面热氧化生长的SiO_2特性的研究.S参数和W参数在退火前后的变化,直观的反映出SiO_2/SiC表面氧化层中空位型缺陷浓度的改变.通过与SiO_2/Si样品的对比,证实C元素及其诱生空位型缺陷的存...
关键词：慢正电子湮灭多普勒展宽谱 6H—SiC SIO2 空位型缺陷 退火工艺 
开放式专业实验教学模式探索和实践被引量：4
《高等教育发展研究》2008年第1期43-46,共4页马瑶 石瑞英 袁菁 万超 李玉玲 
由四川省高等教育教学改革工程人才培养质量和教学改革项目及四川大学新世纪教改工程项目支持
在研究型教学理论的指导下，为了进行开放式专业实验教学模式的探索，在“微电子器件参数的测试与分析”专业实验课程中进行了开放式实验教学模式的新尝试，在实验教学内容、实验过程、实验室管理、实验成绩考核评定方式上实现了全方位...
关键词：研究型教学 全方位开放 微电子器件测试与分析 教学改革 
SiC热氧化SiO_2层结构的光谱学表征
《光散射学报》2007年第3期248-251,共4页林海 袁菁 田晓丽 杨治美 马瑶 龚敏 
教育部博士点基金项目支持;项目编号:20060610008
C原子的存在,不仅影响SiC热氧化SiO2层与SiC间的界面态,也直接影响SiO2层的结构和致密性。本文用红外光谱对SiC和Si热氧化生长SiO2层进行了研究,分析和讨论SiO2/SiC和SiO2/Si的红外反射光谱特征峰,以及不同的热氧化条件和退火过程对这...
关键词：热氧化SiO2 6H-SIC 特征红外反射光谱 
Nickel/6H-SiC欧姆接触机理研究
《四川大学学报（自然科学版）》2007年第3期633-637,共5页吴健 袁菁 马瑶 龚敏 
通过XPS和XRD对500℃和950℃热处理后Nickel/6H-SiC接触层中C,O,Ni和Si元素的价电荷态进行了深入的研究.结果表明,950°热处理后转化为Ni2Si的合金相对实现好的欧姆接触起主要作用.在合金层中残留有大量的C原子,并且以石墨结构的C—C键...
关键词：欧姆接触 Ni2Si 石墨 热处理 
在专业实验教学中实现“实验就是科研”的教学理念
《高等教育发展研究》2007年第1期33-35,共3页石瑞英 龚敏 伍登学 马瑶 袁菁 万超 谢茂浓 
由四川省高等教育教学改革工程人才培养质量和教学改革项目、四川大学新世纪教改工程项目支持
21世纪是信息时代，微电子技术是21世纪信息时代的关键技术之一，也是现代一个国家综合实力的衡量标准。国家把微电子技术列为21世纪初重点发展的新技术，力争通过10年的时间，使我国成为世界上的微电子强国。我国急需大量合格的微电子...
关键词：科研 以学生为主体 实验 
n-GaN肖特基势垒二极管的高温电子辐照效应被引量：2
《光散射学报》2006年第3期277-281,共5页谢宛玲 杨治美 钟志亲 吴健 林海 马瑶 袁菁 龚敏 
本文研究了n-GaN肖特基势垒二极管的高温电子辐照效应。实验结果显示,高温下进行电子辐照,界面处辐照诱生缺陷会同时产生和被退火恢复;器件的击穿电压和反向漏电流受辐照影响减弱,其电学阈值增加;由辐照效应导致的可见光响应的影响仍然...
关键词：GaN肖特基势垒二极管 高温 电子辐照 
n-GaN肖特基势垒光敏器件的电子辐照效应被引量：3
《光散射学报》2005年第2期159-163,共5页刘畅 王鸥 袁菁 钟志亲 龚敏 
本文主要研究了n型GaN肖特基紫外光敏器件(包括GaN肖特基势垒紫外探测器,GaN肖特基二极管)的电子辐照效应和失效机理,以及辐照后二极管对不同波长光的光敏特性的变化。从实验中观测到,随着辐照注量的不断增加,GaN光敏器件的击穿电压明...
关键词：GaN光敏器件 电子辐照 紫外探测器 肖特基二极管 辐照失效 金属/半导体界面 
n-GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照效应
《半导体光电》2005年第1期26-29,共4页刘畅 袁菁 钟志亲 伍登学 龚敏 
辐射物理及技术教育部重点实验室资助项目.
研究了n型Au/GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照失效机理。从实验中观测到,随着电子辐照注量的不断增加,Au/GaN间辐照诱生的界面态引起器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大。辐照诱生的深能级缺陷导致紫外光探测器对较长波长...
关键词：GaN紫外光探测器 肖特基势垒 电子辐照 辐照失效 金属/半导体界面 退火 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部