SiC热氧化SiO_2层结构的光谱学表征  

Infrared Spectroscopic Characterization of Thermal Oxide SiO_2 on SiC

作　　者：林海[1,2] 袁菁[1,2] 田晓丽 杨治美[1,2] 马瑶[1,2] 龚敏 

机构地区：[1]四川大学物理科学与技术学院微电子学系,成都610064 [2]微电子技术四川省重点实验室,成都610064

出　　处：《光散射学报》2007年第3期248-251,共4页The Journal of Light Scattering

基　　金：教育部博士点基金项目支持;项目编号:20060610008

摘　　要：C原子的存在,不仅影响SiC热氧化SiO2层与SiC间的界面态,也直接影响SiO2层的结构和致密性。本文用红外光谱对SiC和Si热氧化生长SiO2层进行了研究,分析和讨论SiO2/SiC和SiO2/Si的红外反射光谱特征峰,以及不同的热氧化条件和退火过程对这些谱峰的影响,对SiC热氧化SiO2层质量的光谱学表征进行了初步探讨。The existence of carbon atoms not only influences on the interface states between thermal oxide SiO2 and SiC,but also directly on the structure of the SiO2 layer.In this paper,infrared reflection spectroscopy was employed to research the SiO2 layer by thermal oxidation of SiC,the characterized peaks of the SiO2 layers on SiO2/SiC or SiO2/Si and the influences of various oxidation conditions on them have been analyzed,and photospectroscopy characterization on the quality of thermal oxide SiO2 on SiC has been discussed.

关 键 词：热氧化SiO2 6H-SIC 特征红外反射光谱 

分 类 号：O433[机械工程—光学工程]