氧化物电荷

作品数：13被引量：15H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：任迪远陆妩郭旗余学锋张国强更多>>
相关机构：中国科学院哈尔滨工业大学中国科学院新疆理化技术研究所新疆大学更多>>
相关期刊：《电子科技文摘》《西安电子科技大学学报》《核技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
相关基金：国家部委预研基金国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
电荷耦合器件的^(60)Co γ射线辐照损伤退火效应被引量：4
《原子能科学技术》2010年第5期603-607,共5页李鹏伟 郭旗 任迪远 于跃 兰博 李茂顺 
基于60Coγ射线辐照后的商用电荷耦合器件(CCD),对室温退火和100℃高温退火实验进行研究。考察了CCD的功耗电流、输出信号电压波形及光响应灵敏度等参数的变化。结果表明,CCD辐照过程中产生的氧化物电荷和界面态导致了CCD参数在室温和...
关键词：商用CCD 氧化物电荷 界面态 退火效应 
光谱在过渡族金属氧化物电荷及自旋有序研究中的应用
《孝感学院学报》2006年第3期86-89,共4页聂长江 
条纹相是在过渡金属氧化物研究中发现的一种特殊的现象。电荷以及电子次序排列形成所谓的条纹(stripes),普遍认为这是一种新的量子状态。讨论了光谱实验技术在探询过渡金属氧化物中stripes的相关问题。
关键词：光谱 过渡族金属氧化物 条纹相 
Si/SiO_2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布被引量：4
《核电子学与探测技术》2006年第3期328-330,共3页余学峰 张国强 艾尔肯 郭旗 陆妩 任迪远 
对比了目前常用的三种用54HC电路制作工艺制作的MOS电容的总剂量辐射实验结果,并从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度,研究了在不同制作工艺条件下,54HC电路Si/SiO2系统总剂量辐射损伤特性。
关键词：MOS电容 氧化物电荷 界面态 能级分布 
栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系被引量：3
《核技术》2005年第3期227-230,共4页陆妩 任迪远 郭旗 余学锋 郑毓峰 张军 
介绍了在干氧和氢氧合成两种不同工艺和不同栅氧层厚度情况下,CMOS 运算放大器电路的电离辐照响应规律。并通过对其单管特性及内部单元电路辐照变化的分析比较,探讨了栅氧层厚度的变化与运放电路辐照损伤之间的相互依赖关系。结果显示,...
关键词：CMOS运算放大器 跨导 栅氧层 氧化物电荷 界面态 
辐射感生场氧漏电流对CMOS运算放大器特性的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》2004年第2期182-185,共4页陆妩 余学锋 任迪远 郭旗 郑毓峰 张军 
介绍了不同版图结构制作的 CMOS运放电路的电离辐照实验结果 ,分析比较了在常规版图及采用了保护环措施后制作的运放电路辐照响应之间的差异。结果显示 ,常规版图制作的运放电路 ,由于存在不易消除的场氧漏电 ,其电路的辐射敏感性会明...
关键词：CMOS运算放大器 场氧漏电 氧化物电荷 界面态 
Si/SiO_2及Si/SiO_2/Si_3N_4系统的总剂量辐射损伤被引量：1
《西安电子科技大学学报》2003年第4期433-436,共4页范隆 郝跃 余学峰 
国家部委预研基金资助项目(98J11 2 12 ZK0801)
从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对...
关键词：氧化物电荷 界面态 能量分布 MOS电容 总剂量辐射损伤 SI/SIO2 Si/SiO2/Si3N4 
注氟CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性
《核技术》2003年第4期291-294,共4页陆妩 郭旗 余学锋 任迪远 郑毓峰 张军 
本文研究了注氟(F)与未注F两种不同工艺CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性及变化规律。结果显示:在MOSFET的栅场介质中适量注入F,能明显地抑制辐照感生氧化物电荷的积累和界面态密度的增长,减少漏电流及阈电压漂移,有助于改善CMOS...
关键词：注氟CMOS运算放大器电路 Γ辐照 氧化物电荷 界面态 钴60 抗辐射能力 电离辐射 
微电子学、集成电路
《中国无线电电子学文摘》2001年第5期61-69,共9页
关键词：微电子学 布线算法 中国科学院 氧化物电荷 芯片 集成电路技术 专用集成电路 深亚微米工艺 晶体管 电子器件 
一种制备SiO_(2)膜的方法——氧等离子体处理聚硅烷涂层被引量：2
《四川大学学报（自然科学版）》2000年第6期873-878,共6页谢茂浓 彭志坚 唐琳 傅鹤鉴 
国家自然科学基金(29771024).
作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层 ,成功地制备了SiO2 膜 由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数 ,随氧等离子体处理时间的不同在 10 65～ 10 88cm- 1范围变化 ;XPS谱给出Si2 p的结合能为 10 3.3～ 10 3.5eV ,硅氧原子比为 1∶1 99;激...
关键词：聚硅烷 氧等离子体处理 SiO_(2)薄膜 氧化物电荷 
注F栅介质抗电离辐射损伤机理
《固体电子学研究与进展》2000年第3期302-308,共7页张国强 余学锋 陆妩 范隆 郭旗 任迪远 严荣良 
对含 F MOS结构的抗电离辐射特性和机理进行了系统研究。其结果表明 :F减少工艺过程引入栅介质的 E’中心缺陷和补偿 Si/ Si O2 界面 Si悬挂键的作用 ,将导致初始氧化物电荷和界面态密度的下降 ;栅 Si O2 中的 F主要以 F离子和 Si- F结...
关键词：含氟介质 电离辐射 氧化物电荷 界面态 损伤机理 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部