电荷耦合器件的^(60)Co γ射线辐照损伤退火效应  

Annealing Effects of Charge Coupled Devices After ^(60)Co γ Irradiation

作　　者：李鹏伟[1,2] 郭旗[1] 任迪远[1] 于跃[1,2] 兰博[1,2] 李茂顺[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011 [2]中国科学院研究生院,北京100049

出　　处：《原子能科学技术》2010年第5期603-607,共5页Atomic Energy Science and Technology

摘　　要：基于60Coγ射线辐照后的商用电荷耦合器件(CCD),对室温退火和100℃高温退火实验进行研究。考察了CCD的功耗电流、输出信号电压波形及光响应灵敏度等参数的变化。结果表明,CCD辐照过程中产生的氧化物电荷和界面态导致了CCD参数在室温和高温退火中的不同表现。Annealing experiment of commercial charge coupled devices （CCD） irradiated by gamma rays was carried out at room temperature and 100 ℃.Power currents,output signal voltage and optical response sensitivity of CCD were investigated during experiment.The result shows that oxide charges and interface traps result in different behaviors of CCD’s parameter during room temperature and 100 ℃ annealing.

关 键 词：商用CCD 氧化物电荷 界面态 退火效应 

分 类 号：TN386.5[电子电信—物理电子学]