张勇

作品数：33被引量：114H指数：7
导出分析报告
供职机构：西北核技术研究所更多>>
发文主题：CCD电荷耦合器件中子辐照数值模拟中子更多>>
发文领域：电子电信核科学技术理学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《清华大学学报（自然科学版）》《核电子学与探测技术》《物理学报》《半导体光电》更多>>
所获基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于粒子飞行动态径向基代理模型的辐射屏蔽优化设计
《核技术》2025年第2期133-143,共11页高帅 管兴胤 卢毅 叶洋 袁媛 郝帅 胡启航 张勇 
国家自然科学基金(No.12275220)资助。
针对辐射屏蔽优化设计中存在的消耗时间长、优化效率低的问题,提出一种基于粒子飞行样本更新策略的动态径向基代理模型。首先采用径向基神经网络建立真实目标函数的初始代理模型,然后通过差分进化算法对代理模型进行全局寻优,然后基于...
关键词：粒子飞行 径向基函数 动态代理模型 辐射屏蔽优化 昂贵优化问题 
LaBr_(3):Ce闪烁体探测器固有延时高精度测定方法及系统
《现代应用物理》2024年第5期81-87,共7页李林祥 管兴胤 易义成 郝帅 程梓芸 孙薇 张勇 
国家自然科学基金资助项目(12275220)。
针对无机闪烁体探测器固有延时较长、高精度测试困难等不利于核事件高精度准确定时的问题,提出了一种基于60 Co级联伽马射线和快响应有机闪烁体探测器符合测量固有延时的方法,并搭建了测试系统。针对LaBr_(3):Ce闪烁体探测器使用场景提...
关键词：无机闪烁体探测器 固有延时 符合法 
光敏晶体管的中子位移损伤效应研究被引量：4
《原子能科学技术》2011年第5期619-623,共5页黄绍艳 刘敏波 王祖军 唐本奇 肖志刚 张勇 
通过开展光敏晶体管的反应堆中子辐照实验,获得位移效应实验结果,并分析位移损伤机理。研究发现,在3×1011～5×1012 cm-2中子注量范围内,光敏晶体管增益和光响应度的下降导致集电极输出电流下降。增益的倒数与注量的增加呈线性关系,注...
关键词：光敏晶体管 位移损伤 中子 光电流 增益 暗电流 
激光二极管的位移损伤效应研究被引量：3
《半导体光电》2011年第2期195-199,共5页黄绍艳 刘敏波 肖志刚 唐本奇 王祖军 张勇 
以解析公式的推导、位移损伤实验结果以及位移效应的数值模拟结果为基础,分析了位移效应产生的缺陷作为非辐射复合中心和多数载流子陷阱两种情形下的激光二极管阈值电流、外微分量子效率及I-V特性随辐照注量的变化规律。通常的实验注量...
关键词：激光二极管 位移损伤 阈值电流 外微分量子效率 I-V特性 
光电耦合器的反应堆中子辐射效应被引量：6
《强激光与粒子束》2011年第3期801-805,共5页黄绍艳 刘敏波 唐本奇 肖志刚 王祖军 张勇 
选择3种典型光电耦合器开展了反应堆中子辐照实验,中子注量为3×1011~5×1012cm-2时,位移效应导致电流传输比下降,饱和压降提高。发光器件相同,探测器为Si PIN光电二极管的光电耦合器比探测器为Si NPN光敏晶体管的光电耦合器的初始电流...
关键词：光电耦合器 光敏晶体管 反应堆中子 电流传输比 饱和压降 
质子辐照CCD诱发暗信号增大被引量：3
《清华大学学报（自然科学版）》2010年第9期1484-1488,共5页王祖军 刘以农 陈伟 唐本奇 肖志刚 刘敏波 黄绍艳 张勇 
质子辐照诱发电荷耦合器件(CCD)中的暗信号。建立了质子辐照电离损伤的辐射效应模型,通过应用半导体器件仿真软件MEDICI进行数值模拟计算,得出了质子辐照电离损伤诱发CCD表面暗信号随辐照注量增大的变化规律;建立了质子辐照位移损伤的...
关键词：电荷耦合器件(CCD) 质子 暗信号 电离损伤 位移损伤 数值模拟 
1MeV中子辐照SiGe HBT器件的数值模拟被引量：1
《核电子学与探测技术》2010年第3期321-327,共7页王祖军 刘书焕 唐本奇 陈伟 黄绍艳 肖志刚 张勇 刘敏波 
分析了SiGe HBT器件中子辐照效应损伤机理。运用MEDICI软件,对SiGe HBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究。计算了1MeV中子在不同辐照注量下对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律;中子辐照损伤与SiGe HBT器件中Ge组分含量...
关键词：SiGe HBT 中子辐照 缺陷能级 直流增益 截止频率 MEDICI 数值模拟 
电荷耦合器件电离辐射损伤的模拟试验研究被引量：2
《电子学报》2010年第5期1192-1195,共4页唐本奇 王祖军 刘敏波 肖志刚 张勇 黄绍艳 
国防预研项目(No.51311060403)
利用钴-60源,在不同工作与辐照条件下,开展电荷耦合器件电离辐射损伤模拟试验,分析高低剂量率、器件偏置对器件暗电流信号增大和哑元电压漂移的影响,比较电荷耦合器件光敏单元、输出放大器总剂量效应的敏感性,研究辐射敏感参数与失效模...
关键词：电荷耦合器件 电离辐射效应 模拟试验 
辐射损伤诱发CCD敏感参数退化分析被引量：5
《核电子学与探测技术》2010年第2期151-156,170,共7页王祖军 刘以农 陈伟 唐本奇 肖志刚 黄绍艳 刘敏波 张勇 
研究了CCD敏感参数受辐照后的退化情况。分析了电荷转移效率受不同粒子辐照后的退化情况,并列表进行了对比;分析了暗电流受辐射增大的规律;分析了平带电压和阈值电压受辐射后的漂移现象。初步确定了CCD敏感参数的辐射损伤阈值范围。
关键词：CCD 辐射损伤 体缺陷 敏感参数 损伤阈值 
CCD位移辐射效应损伤机理分析被引量：8
《半导体光电》2010年第2期175-179,共5页王祖军 黄绍艳 刘敏波 唐本奇 肖志刚 张勇 陈伟 刘以农 
研究了电荷耦合器件(CCD)位移辐射效应的损伤机理。分析了位移损伤诱发的体缺陷对CCD工作性能的影响。研究了位移损伤导致CCD电荷转移效率降低、体暗电流密度增大、暗电流尖峰以及随机电码信号(RTS)出现的规律和机理。
关键词：CCD 位移辐射 缺陷能级 电荷转移效率 体暗电流 暗电流尖峰 RTS 
全选清除导出
共4页<1234>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部