CCD电离辐射效应损伤机理分析  

The Analysis of Mechanism on Ionization Radiation Damage Effects on CCD

作　　者：王祖军[1,2] 唐本奇[2] 肖志刚[2] 刘敏波[2] 黄绍艳[2] 张勇[2] 陈伟[2] 刘以农[1] 

机构地区：[1]清华大学工程物理系,粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,北京100084 [2]西北核技术研究所,陕西西安710024

出　　处：《核电子学与探测技术》2009年第3期565-570,619,共7页Nuclear Electronics & Detection Technology

摘　　要：研究了CCD电离辐射引起总剂量效应和瞬态电离效应的损伤机理。分析了总剂量效应导致CCD平带电压和阈值电压漂移、表面暗电流密度增大以及饱和输出电压下降的规律和机理。研究了单粒子瞬态电离辐射导致CCD单粒子瞬态电荷产生的机理;研究了瞬态脉冲电离辐射导致CCD信号电荷损失的机理。It is analyzed that the mechanism on total dose radiation effects and transient ionization radiation effects on CCD which induced by ionization radiation damage effects. Total dose radiation damage induces flatband voltage shift, surface dark current increase, and saturation output voltage decrease. Transient ionization radiation damage induces the generation of single particle transient signal charge, and the loss of signal charge in CCD.

关 键 词：CCD电离辐射 平带电压 表面暗电流 饱和输出电压 单粒子瞬态电荷 

分 类 号：O605[理学—化学] TN386.5[电子电信—物理电子学]