日本富士通公司采用AlGaN间隔层和InAlGaN阻挡层将GaN HEMT的输出功率提高到19.9W/mm栅宽  

出　　处：《半导体信息》2018年第4期6-7,共2页Semiconductor Information

摘　　要：近日，日本富士通有限公司和富士通实验室有限公司宣布，他们在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）中开发出一种可以增加电流和电压的晶体结构，有效地将微波频带中发射器用晶体管的输出功率增加三倍。

关 键 词：日本富士通公司 输出功率 高电子迁移率晶体管 阻挡层 间隔层 栅宽 晶体结构 实验室 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]