GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换(续)  

Development of the GaN Power Switch Device and Microscale Power Conversion( Continued)

作　　者：赵正平[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司,北京100846

出　　处：《半导体技术》2014年第2期81-87,共7页Semiconductor Technology

摘　　要：2．3大栅宽器件 大栅宽常关GaN功率开关器件的发展是走向工程应用，2009年报道了栅宽为20mm的5A／1100V常关GaN功率开关器件在升压变换器中的应用旧引，器件特点是，栅下F等离子处理工艺和栅极与源极的双场板结构。

关 键 词：功率开关器件 GAN 功率变换 微尺度 升压变换器 等离子处理 场板结构 栅宽 

分 类 号：TN323[电子电信—物理电子学]