表面态对AlGaN／GaN异质结构2DEG影响的模拟分析  

Influence of surface state on 2DEG formation at AlGaN/GaN heterostructure

作　　者：杨帆[1] 林哲雄 张炜[1] 张金城[1] 王硕[1] 贺致远[1] 倪毅强[1] 刘扬[1] 

机构地区：[1]中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室,广州510275

出　　处：《中国科技论文》2014年第10期1206-1208,共3页China Sciencepaper

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51177175,61274039);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB923200,2011CB301903);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20110171110021);国家国际科技合作专项项目(2012DFG52260);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA03A101)

摘　　要：利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2dimensional electron gas,2DEG)形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明:施主表面态为2DEG的电子来源;AlGaN能带分布及2DEG密度随AlGaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变而改变。The influence of surface state on two-dimensional electronic gas （2DEG）formation at AlGaN/GaN heterostructure is simulated.Specifically,the effects of AlGaN thickness,surface state energy level and surface state density changing are ana-lyzed.It is demonstrated that the electrons of 2DEG are primarily originated from surface state ionization.Simultaneously,Al-GaN thickness,surface state energy level and surface state density would be changed with the changes of AlGaN band structure and 2DEG density.

关 键 词：半导体物理学 施主表面态 AlGaN厚度 表面态电离 模拟 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]