场板结构对AlGaN/GaN HFET电场分布的影响  

The impact of field plate on electric field distribution of AlGaN/GaN HFET

作　　者：王硕[1] 张炜[1] 姚尧[1] 张金城[1] 刘扬[1] 

机构地区：[1]中山大学物理科学与工程技术学院,广州510275

出　　处：《中国科技论文》2014年第7期739-741,共3页China Sciencepaper

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51177175;61274039);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB923200;2011CB301903);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20110171110021);国家国际科技合作专项项目(2012DFG52260);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA03A101)

摘　　要：场板结构可以有效抑制横向型HFET器件栅极边缘的电场集边效应,降低尖峰电场峰值,从而大幅提高器件的耐压特性。利用Sentaurus TCAD工具,构建具有场板结构的HFET器件,研究了场板长度和钝化层的厚度对器件沟道电场分布的影响,归纳出场板结构设计的基本规律和一般方法。The field plate structure could be applied to improve AlGaN/GaN HFET characteristics of withstand voltage,reduce its peak electric field,and solve the crowding effect of the gate,so as to improve the blocking voltage of the device.The HFET de-vices with field plate structure are built on the Sentaurus TCAD simulator.The influence of the field plate parameters on the elec-tric field distribution is studied to summarize the general principle and method of field plate structure designment.

关 键 词：氮化镓 场板结构 击穿电压 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]