X波段连续波150W内匹配功率放大器  

作　　者：曹欢欢[1] 高长征[1] 崔玉发 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《通讯世界》2021年第2期231-232,共2页Telecom World

摘　　要：本文介绍了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺实现的X波段连续波高功率载片式功率放大器。该模块采用GaN HEMT管芯内匹配合成技术,电路包含有四个12 mm栅宽的GaN HEMT管芯和制作在Al2O3陶瓷基片上的输入输出匹配电路。模块采用尺寸为20 mm×15 mm×1.5 mm的无氧铜载片实现。测试表明,模块在8.5 GHz~9.5 GHz频段内,28 V工作电压,连续波工作条件下,功率输出大于150 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率大于42%,有效实现了连续波功率放大器的高功率、高效率、小型化和低成本。

关 键 词：GAN X波段 连续波 高功率 高效率 内匹配功率放大器 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]