基于GaN工艺的C波段小型化高增益载片式功率放大器  

作　　者：曹欢欢[1] 高长征[1] 崔玉发 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《通讯世界》2021年第1期193-194,共2页Telecom World

摘　　要：本文报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段小型化高增益载片式功率放大器。该功率放大器采用GaN功率单片集成电路工艺与微波混合集成电路工艺相结合的电路形式,采用两级放大电路拓扑,正负电源结构设计。模块采用铜-钼-铜(CMC)载板实现,有效实现了模块的高效率、小型化和低成本。铜-钼-铜(CMC)载板尺寸8 mm×6.6 mm×1.6 mm,测试表明,该模块在5.2~5.8 GHz频段内,28 V工作电压、连续波工作条件下,功率输出大于47 dBm、功率增益大于28 dB、功率附加效率大于55%。

关 键 词：GAN C波段 高集成度 高增益 小型化 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]