盛百城

作品数:6被引量:6H指数:1
导出分析报告
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题:MOCVD氮化镓场效应晶体管氧化镓沟道更多>>
发文领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊:《半导体技术》《微纳电子技术》《太赫兹科学与电子信息学报》更多>>
所获基金:国家自然科学基金更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-6
视图:
排序:
SiC基GaN上多晶金刚石散热膜生长及其影响
《半导体技术》2024年第5期455-460,共6页盛百城 刘庆彬 何泽召 李鹏雨 蔚翠 冯志红 
国家重点研发计划(2022YFB3404304,2022YFB3608603)。
通过微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,在SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)异质结构材料上生长多晶金刚石散热膜,采用光学显微镜(OM)、拉曼光谱、非接触霍尔测试系统、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对生长样品进行表征,研究...
关键词:多晶金刚石 散热膜 氮化镓 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法 电性能 应力 孔洞缺陷 
260 GHz GaN高功率三倍频器设计
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第3期290-295,共6页盛百城 宋旭波 顾国栋 张立森 刘帅 万悦 魏碧华 李鹏雨 郝晓林 梁士雄 冯志红 
国家自然科学基金资助项目(62201532)。
基于GaN太赫兹二极管芯片,采用非平衡式电路结构,设计了一款260 GHz三倍频器。采用GaN肖特基二极管芯片提高电路的耐受功率和输出功率;采用“减高+减宽”的输出波导结构抑制二次谐波;采用高低阻抗带线结构设计了倍频器的输入滤波器和输...
关键词:三倍频器 太赫兹 肖特基二极管 非平衡式 倒装 
碳化硅衬底外延石墨烯被引量:2
《半导体技术》2019年第8期635-640,共6页盛百城 刘庆彬 蔚翠 何泽召 高学栋 郭建超 周闯杰 冯志红 
国家自然科学基金资助项目(61674131,61306006)
通过高温热解法和化学气相沉积(CVD)法在SiC(0001)衬底外延石墨烯。采用光学显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜、喇曼光谱、X射线光电子能谱和霍尔测试系统对样品进行表征,并对比了两种不同生长方法对石墨烯材料的影响以及不同的成...
关键词:石墨烯 碳化硅衬底 高温热解法 化学气相沉积(CVD)法 成核机理 
图形化蓝宝石衬底表面原位处理对GaN外延薄膜的影响被引量:1
《半导体技术》2019年第5期374-378,共5页盛百城 白欣娇 唐兰香 甘琨 袁凤坡 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402903)
采用预铺Ga或NH_3氮化等方式原位处理图形化蓝宝石衬底(PSS)表面,然后外延生长了GaN薄膜,研究了PSS表面预处理对GaN薄膜表面形貌、晶体质量以及残余应力的影响。结果显示,PSS经过预铺Ga后生长的GaN薄膜具有平滑的表面和清晰平直的原子台...
关键词:氮化镓 图形化蓝宝石衬底(PSS) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 外延 表面处理 
4英寸SiC衬底上高性能GaN HEMT材料被引量:2
《微纳电子技术》2013年第7期430-433,共4页尹甲运 房玉龙 盛百城 蔡树军 冯志红 
使用金属有机气相沉积(MOCVD)设备在4英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘SiC衬底上进行了GaN HEMT结构材料的生长。GaN外延材料(002)和(102)面X射线摇摆曲线半高宽分别为166和238 arcsec,表面粗糙度(Rms)(5μm×5μm)达到0.174 nm,表明GaN外延...
关键词:SIC衬底 GaN HEMT 位错 迁移率 金属有机气相沉积(MOCVD) 
AlGaN基p-i-n型日盲紫外探测器材料的研制被引量:1
《半导体技术》2012年第4期284-287,298,共5页刘波 袁凤坡 尹甲运 盛百城 房玉龙 冯志红 
采用金属有机气相外延(MOCVD)方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN和高铝组分AlGaN材料。通过优化AlN和AlGaN材料的生长温度、生长压力和Ⅴ族元素/Ⅲ族元素物质的量比(nⅤ/Ⅲ)等工艺条件,得到了高质量的AlN和高铝组分AlGaN材料。AlN材...
关键词:金属有机气相沉积 蓝宝石衬底 氮化铝 铝镓氮 日盲紫外探测器 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部